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快恢復二極管的內部結構與普通二極管不同,它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄,反向恢復電荷很小,不僅大大減小了trr值,還降低了瞬態(tài)正向壓降,使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復二極管的反向恢復時間一般為幾百納秒,正向壓降約為0.6V,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。
| 名稱 |
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| 400V | 5A | 0.92V | 0.01μA | 30ns | TO-220F |
| 1000V | 5A | 1.3V | 10μA | 500ns | SMB |
| 1000V | 5A | 1.3V | 10μA | 500ns | SMC |
| 1000V | 5A | 1.68V | 5μA | 75ns | SMB |
| 1000V | 5A | 1.85V | 10μA | 100ns | SMC |
| 文件名稱 | 標題 | 說明 |
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| 類型 | 標題 | 下載 |
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