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0755-83044319
類型:P溝道
漏源電壓(Vdss):-20V
連續(xù)漏極電流(Id):-1.6A
導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@-4.5V,-1.6A
閾值電壓(Vgs(th)@Id):-0.7V@-250μA
產(chǎn)品介紹:FDN338P 低壓N溝道MOS管
一、產(chǎn)品概述
薩科微slkor低壓MOS管FDN338P是一款獨特的低壓N溝道MOSFET,專為需要在負電壓環(huán)境下工作的電路而設(shè)計。其獨特的電氣特性,包括負值的漏源電壓和連續(xù)漏極電流,使其在眾多需要反向電壓控制的電子設(shè)備中脫穎而出。FDN338P以其高效能、穩(wěn)定性和可靠性,為系統(tǒng)設(shè)計者提供了前所未有的靈活性和創(chuàng)新性解決方案。
二、產(chǎn)品特性
負電壓操作:漏源電壓(Vdss)為-20V,表明該MOSFET能在負電壓環(huán)境下正常工作,適用于需要反向電壓控制的特殊應(yīng)用。
高反向電流能力:連續(xù)漏極電流(Id)達到-1.6A,表明FDN338P能夠處理較大的反向電流,滿足高要求的應(yīng)用場景。
低導通電阻:在-4.5V的柵極電壓(Vgs)和-1.6A的漏極電流(Id)條件下,導通電阻(RDS(on))僅為75mΩ,有效降低了導通時的能量損耗,提高了系統(tǒng)效率。
低閾值電壓:閾值電壓(Vgs(th)@Id)為-0.7V@-250μA,意味著在較低的負柵極電壓下即可開啟MOSFET,適用于低功耗和快速響應(yīng)的應(yīng)用場景。
三、產(chǎn)品優(yōu)勢
創(chuàng)新設(shè)計:作為少數(shù)能夠在負電壓下穩(wěn)定工作的N溝道MOSFET之一,F(xiàn)DN338P為特殊應(yīng)用提供了獨特的解決方案。
高效能:低導通電阻減少了能量損失,提高了系統(tǒng)能效。
快速響應(yīng):低閾值電壓確保了MOSFET的快速開啟和關(guān)閉,提高了系統(tǒng)的動態(tài)性能。
高可靠性:經(jīng)過嚴格的質(zhì)量控制和測試,F(xiàn)DN338P展現(xiàn)出*的穩(wěn)定性和耐久性。
四、應(yīng)用領(lǐng)域
FDN338P廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
特殊電源管理:在需要負電壓輸出的電源管理系統(tǒng)中,如某些類型的逆變器、負電壓供電的電路等。
反向電流控制:在需要精確控制反向電流的電路中,如特定類型的電機驅(qū)動、反向電流保護電路等。
科研與實驗:在電子學、材料科學等領(lǐng)域的科研實驗中,用于模擬或測試負電壓環(huán)境下的電路行為。
特殊工業(yè)控制:在需要反向電壓控制的工業(yè)自動化系統(tǒng)中,如特定類型的傳感器、執(zhí)行器等。
五、注意事項
電壓極性:請確保在使用時遵循正確的電壓極性,避免將正電壓誤接到負電壓端。
電流限制:根據(jù)連續(xù)漏極電流(Id)的限制,合理設(shè)計電路,避免過載運行。
散熱設(shè)計:在高反向電流或長時間工作的應(yīng)用中,需關(guān)注散熱問題,確保器件溫度在正常范圍內(nèi)。
靜電防護:在安裝和使用過程中,應(yīng)采取靜電防護措施,避免靜電放電對器件造成損害。
存儲與運輸:請按照產(chǎn)品手冊中的建議進行存儲和運輸,避免暴露在極端溫度、濕度或腐蝕性環(huán)境中。
| 文件名稱 | 標題 | 說明 |
|---|---|---|
| FDN338P SOT-23.pdf | FDN338P SOT-23 | - |
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