太陽(yáng)能光伏硅晶片

印寧華|Indining China|

2022-09-28 17:12:07 67

光伏（Photovoltaic – PV）電池也被稱為太陽(yáng)能電池。一組太陽(yáng)能光伏板或太陽(yáng)能光伏組件與太陽(yáng)能接線，斷路器，太陽(yáng)能充電器，電池，太陽(yáng)能逆變器等下游設(shè)備一起構(gòu)成光伏系統(tǒng)。

它們將太陽(yáng)光轉(zhuǎn)化為電能以儲(chǔ)存或供電其他設(shè)備（包括人造光源）的神奇技術(shù)。那么他們運(yùn)行的？它是如何制造的？讓我們找出來(lái)。

光伏
“Photo”是指光線或可見(jiàn)光譜中的光子或電磁波。 “Volt”是指電位差，它會(huì)導(dǎo)致電子流動(dòng)并產(chǎn)生電流。光伏是指當(dāng)被光源（具有足夠的波長(zhǎng)和能量的自然或人造光源）撞擊光電材料表面時(shí),它產(chǎn)生電力。

光伏（PV）電池的運(yùn)行需要三個(gè)基本屬性：

光的吸收，產(chǎn)生電子空穴對(duì)或激子。
相反類型的電荷載體的分離。
將這些載流子分開(kāi)提取到完成電子循環(huán)的外部電路。

在光伏電池中有兩個(gè)獨(dú)特的不同組，即單結(jié)和多結(jié)電池。

單結(jié)太陽(yáng)能電池僅具有一個(gè)p-n（正 – 負(fù)）結(jié)，而多結(jié)太陽(yáng)能電池具有多于一個(gè)p-n結(jié)。 p-n結(jié)是兩種半導(dǎo)體材料之間的界面，其中一種是富電子半導(dǎo)體（N型），另一種是電子耗盡（P型）。

單結(jié)和多結(jié)光伏電池

單結(jié)光伏電池在市場(chǎng)上大多數(shù)常規(guī)太陽(yáng)能電池中都能找到。晶體硅太陽(yáng)能電池（單晶硅和多晶硅）就是最好的例子之一。添加微量硼的純硅將形成P型半導(dǎo)體，而添加微量磷的純硅將形成N型半導(dǎo)體。

當(dāng)太陽(yáng)光中的光子撞擊太陽(yáng)能電池并從n區(qū)（高電子濃度）中去除電子時(shí)，脫離的電子從該區(qū)域逸出，并通過(guò)電路到達(dá)p區(qū)（低電子濃度）。這種電子流動(dòng)構(gòu)成了電力。

太陽(yáng)能電池的基本工作原理當(dāng)太陽(yáng)光中的光子撞擊太陽(yáng)能電池并從n區(qū)（高電子濃度）中去除電子時(shí)，脫離的電子從該區(qū)域逸出，并通過(guò)電路到達(dá)p區(qū)（低電子濃度）。這種電子流動(dòng)構(gòu)成了電力。

單結(jié)太陽(yáng)能電池可能的最高理論效率約為34％（Shockley Queisser Efficiency Limit）。關(guān)于效率的更多信息在接下來(lái)的幾章中。

為了尋求更高效率的光伏器件，通過(guò)堆疊多層不同的p型和n型半導(dǎo)體來(lái)形成多層p-n結(jié)。這使得能夠?qū)⒏鼜V泛的光能轉(zhuǎn)換成電能。

使用不同的半導(dǎo)體材料，例如磷化銦鎵（GaInP），砷化鎵銦（GaInAs）和鍺（Ge）。這些半導(dǎo)體中的每一個(gè)都使用不同波長(zhǎng)范圍的太陽(yáng)光來(lái)發(fā)電。

多結(jié)太陽(yáng)能電池的一個(gè)例子

太陽(yáng)能電池的類型

最常見(jiàn)的是晶體硅（c-Si）類型。正如名稱所示，它是由硅晶體制成的。它占據(jù)了目前市場(chǎng)上近90％的太陽(yáng)能用量。然而市場(chǎng)上有太多的太陽(yáng)能電池板。它的構(gòu)建材料和形式都不相同。

首先我們看看兩種最常見(jiàn)的硅太陽(yáng)能光伏 – 單晶硅和多晶硅光伏。

典型的單晶太陽(yáng)能電池板

單晶硅太陽(yáng)能光伏 (Moocrystaline Solar Cells) – 最高效的硅基太陽(yáng)能電池，是由人工生長(zhǎng)的單晶硅晶片通過(guò)切克勞斯基工藝制成的。它具有最高的純度，顯得黑暗均勻，并且通常具有切割邊緣的明顯特征，因?yàn)閺木уV切下四個(gè)側(cè)面以形成均勻的晶片。在溫暖和低光環(huán)境下表現(xiàn)更好，效率在15-22％之間。多晶的太陽(yáng)能電池也比較昂貴。

典型的多晶太陽(yáng)能電池板

多晶硅太陽(yáng)能光伏 (Polycrystaline Solar Cells) – 最經(jīng)濟(jì)的硅基太陽(yáng)能電池。它被稱為多晶硅（p-Si）或（mc-Si）。獨(dú)特的斑點(diǎn)特征是由于一起生長(zhǎng)的多個(gè)互鎖硅晶體。不使用切克勞斯基工藝，而是將熔融硅倒入方形模具中以形成晶體。因此，生產(chǎn)純度較低，成本較低。效率稍低于單晶，特別是在較高的熱量下，效率為13-18％。為了彌補(bǔ)效率略低，與同瓦數(shù)相比，聚太陽(yáng)能面板的面積要大于面板的面積。而且更新的聚乙烯板有效率，可以與單板競(jìng)爭(zhēng)。

接下來(lái)我們來(lái)看看市場(chǎng)上太陽(yáng)能電池的其他變化 – 薄膜太陽(yáng)能電池。

典型的薄膜太陽(yáng)能板

薄膜太陽(yáng)能電池（TFSC） – 光伏材料不是使用經(jīng)典的硅晶體（晶體厚，硬而脆，在彎曲壓力下會(huì)開(kāi)裂），而是非常薄地沉積在襯底上，使其更加輕便靈活。薄膜面板制造簡(jiǎn)單，顯得均勻，看起來(lái)很有吸引力，而且靈活。效率變量取決于光伏材料。薄膜電池板可以由多種材料構(gòu)成，主要選擇是非晶硅（a-Si），最普遍的類型是碲化鎘（CdTe）和硒化銅銦鎵（CIS / CIGS）。

非晶硅（a-Si）太陽(yáng)能電池 – 非晶硅太陽(yáng)能電池沒(méi)有使用硅晶體，而是在襯底（例如玻璃和塑料）上非常薄地（很少量的硅 – 約1％）沉積硅。但效率較低，約為7％ – 9％（最佳效率為13.4％）。它可以在像太陽(yáng)能計(jì)算器這樣的小型消費(fèi)電子產(chǎn)品中找到。
碲化鎘（CdTe）太陽(yáng)能電池 – 一個(gè)更*的選擇。它超過(guò)了晶體硅太陽(yáng)能電池板的成本效益。基于碲化鎘的太陽(yáng)能電池板的效率通常在9-11％的范圍內(nèi)運(yùn)行（最佳的電池效率為19.0％）。但是，由于其成本效益，如果土地面積不是問(wèn)題，它正被用于多千瓦系統(tǒng)。它占據(jù)了薄膜市場(chǎng)份額的43％。無(wú)論如何，鎘是劇毒的。
銅銦鎵硒（CIS / CIGS）太陽(yáng)能電池– 它可以使用玻璃基板或其他柔性基板。 CIGS太陽(yáng)能電池板的效率通常在10-12％的范圍內(nèi)運(yùn)行（最佳的電池效率為20.4％）。薄膜類別的效率最高，但三者的成本最高。

建筑一體化光電（BIPV）它更像是太陽(yáng)能技術(shù)和建筑的混合或整合（或者是硅晶片或者薄膜，或者兩者兼而有之），而不是一個(gè)獨(dú)立的太陽(yáng)能電池板。與陽(yáng)光接觸的外墻，屋頂，窗戶，墻壁以及其他許多東西都可以與光伏材料結(jié)合使用。它們就像發(fā)電的忍者一樣，不是完全隱身的，而是比傳統(tǒng)的方法更有吸引力。

太陽(yáng)能電池是如何制造的？

想知道太陽(yáng)能電池是如何制造的？這是一個(gè)復(fù)雜而又美妙的概念。我們舉一個(gè)如何制作單晶硅太陽(yáng)能電池的例子。盡管硅在地球上是被遺忘的（宇宙中最常見(jiàn)的元素），而沙子主要是硅，但顯然你不能在家制造太陽(yáng)能。這一切都回到如何通過(guò)切克勞斯基人工生長(zhǎng)水晶。

(Czochralski process)切克勞斯基工藝是用于獲得單晶（半導(dǎo)體，金屬和寶石）的晶體生長(zhǎng)方法。高純度多晶硅（在二氧化硅石英的還原和純化后形成的雜質(zhì)僅為百萬(wàn)分之幾）在約1500攝氏度的高純度真空坩堝中熔化。

在此期間，可以將摻雜雜質(zhì)添加到熔融硅中以摻雜（改變其材料的電性質(zhì)）硅。 n型硅（電子濃度高于空穴濃度）的普通摻雜劑是磷。普通的p型硅摻雜劑（空穴濃度高于電子濃度）是硼

將軸端的純硅棒作為晶種浸入熔融硅中緩慢拉起，逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。硅晶體將通過(guò)硅的均勻沉積而在晶種上緩慢生長(zhǎng)，形成一個(gè)大的圓柱形晶體（或稱為圓形或硅錠），其下面可能重200-700kg。拉，旋轉(zhuǎn)和冷卻的速度（溫度梯度）將決定所形成晶體的質(zhì)量和尺寸。這個(gè)過(guò)程可能需要幾個(gè)星期到幾個(gè)月時(shí)間，并且占單晶太陽(yáng)能電池生產(chǎn)成本的三分之一。

之后將硅錠研磨至特定的直徑，并用金剛石鋸將其切成特定的形狀。由直徑約為150毫米的錠塊生產(chǎn)的125毫米×125毫米的晶片，以及由直徑約為200毫米的錠塊生產(chǎn)的156毫米×156毫米的晶片。具有切割邊緣的單晶太陽(yáng)能電池的奇形狀主要是因?yàn)樽畲罂捎闷椒奖砻媸怯梢粋€(gè)圓確定的，以使硅損失最小化。

之后，通過(guò)線鋸將硅錠切片以形成硅晶片。這被稱為晶圓。它經(jīng)歷了從晶圓制造太陽(yáng)能電池的各種過(guò)程。

預(yù)檢和預(yù)處理 :- 選擇具有特定幾何形狀和厚度一致性的*晶片。
紋理 :- 隨機(jī)金字塔紋理蝕刻在表面上以減少入射光的反射損失。
酸洗 :- 去除表面紋理化的粒子。
擴(kuò)散 :- 將摻雜劑添加到硅晶片以使其導(dǎo)電。例如，預(yù)摻雜的p型硼晶片通過(guò)在高溫下用磷源擴(kuò)散而給予負(fù)（n型）表面，產(chǎn)生正負(fù)（p-n）結(jié)。
蝕刻和邊緣隔離 :- 以除去由晶片邊緣和背面周圍的n型磷擴(kuò)散形成的不希望的電通路。
蝕刻后清洗 :- 去除蝕刻中的所有顆粒殘留物。
抗反射涂層沉積 :- 減少表面反射并增加吸收的光量。
接觸印刷和干燥 :- 金屬內(nèi)嵌印在晶圓的兩側(cè)以產(chǎn)生歐姆接觸。燒結(jié)爐用于固化晶片上的干燥金屬漿料。干燥后的晶圓可稱為太陽(yáng)能電池。
測(cè)試和太陽(yáng)能電池分選 :- 太陽(yáng)能電池在模擬燈下進(jìn)行測(cè)試，并根據(jù)效率和等級(jí)進(jìn)行分類。

形成單晶太陽(yáng)能電池的復(fù)雜過(guò)程

在聚甲基丙烯酸甲酯太陽(yáng)能電池制造中，也經(jīng)歷了上述類似的過(guò)程，但沒(méi)有切克勞斯基工藝。高純度多晶硅被粉碎熔化，直接鑄成方形多晶硅錠。在沒(méi)有切克勞斯基工藝的情況下，工藝速度要快得多，比多晶硅和單晶的成本降低了20-30％。

光伏發(fā)展

美國(guó)是現(xiàn)代太陽(yáng)能光伏發(fā)明者和先驅(qū)。它曾經(jīng)是1954-1996年的光伏主要領(lǐng)導(dǎo)。美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的工程師Russell Ohl于1946年獲得了*個(gè)現(xiàn)代太陽(yáng)能電池的專利。*個(gè)實(shí)用的晶體硅電池于1954年開(kāi)發(fā)出來(lái)，從那以后電池效率得到了提高

隨后，日本在1997 – 2004年率先成為全球最大的光伏電力生產(chǎn)國(guó)。

德國(guó)在2005 – 2014年間*。 2000年引入“可再生能源法案”，使可再生能源在電網(wǎng)上得到普及。許多人已經(jīng)投資了可再生能源技術(shù)，導(dǎo)致光伏發(fā)電量的增加。 2016年，德國(guó)的光伏裝機(jī)容量超過(guò)了40吉瓦大關(guān)。

中國(guó)在2010年初開(kāi)始涉足光伏太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)。到2015年底，中國(guó)超過(guò)了德國(guó)的產(chǎn)能，成為*上最大的光伏發(fā)電生產(chǎn)國(guó)，并持續(xù)增長(zhǎng)。

由于全球?qū)夥黾拥男枨螅杵圃斓某墒煲约肮杵a(chǎn)廠的數(shù)量的增加，光伏正變得越來(lái)越受消費(fèi)者的歡迎。

太陽(yáng)能效率背后的神話

地球在高層大氣層接收到太陽(yáng)輻射174瓦（PW）。在太陽(yáng)光達(dá)到海平面之前，約有30％被反射回太空，其余的則被大氣中的分子吸收，如臭氧，氧氣和水。

大氣層頂部和海平面的太陽(yáng)輻射光譜。由于太陽(yáng)輻射光的一部分在地球大氣層中被臭氧，氧氣和水吸收,在海平面看到的最終光譜中有許多缺失的波長(zhǎng)

太陽(yáng)能效率基本上是一個(gè)平方米多少的光能量被捕獲和轉(zhuǎn)換成電能。

然而，光電半導(dǎo)體材料實(shí)際上可以吸收多少光子并轉(zhuǎn)化為電能存在限制。具有較低能量（較長(zhǎng)波長(zhǎng)）的光子不會(huì)被吸收。只有能量高于帶隙能量的光子才能通過(guò)在光伏材料中產(chǎn)生電子 – 空穴對(duì)來(lái)?yè)敉穗娮硬l(fā)電，然而來(lái)自光子的多余能量將轉(zhuǎn)化為熱量。

光伏太陽(yáng)能電池中使用的不同材料的帶隙。注意到在低端和高端具有帶隙的材料往往效率較低。結(jié)晶硅是光伏電池中使用最多的材料，屬于光譜的中間

這使單個(gè)p-n結(jié)的太陽(yáng)能電池的理論上最大效率有局限。它被稱為Shockley Queisser效率限制或SQ限制。假設(shè)單個(gè)p-n結(jié)的帶隙為1.34eV（使用AM1.5太陽(yáng)光譜），該極限值使最大太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換效率在33.7％左右。

AM 1.5太陽(yáng)光譜是最常用的標(biāo)準(zhǔn)，因?yàn)榇蟛糠痔?yáng)能使用國(guó)位于溫帶地區(qū)（歐洲，中國(guó)，日本，美國(guó)，印度北部，南非和澳大利亞）。

為了提高超出SQ Limit的太陽(yáng)能電池的效率，通常需要多結(jié)太陽(yáng)能電池。其他創(chuàng)新，包括太陽(yáng)能集中器和量子點(diǎn)被使用，但成本較高。

單結(jié)和多結(jié)太陽(yáng)能電池的區(qū)別。
展示兩個(gè)細(xì)胞如何將全光譜轉(zhuǎn)化為電力。單結(jié)硅太陽(yáng)能電池可以接受能量大于1.12eV的光子，任何超過(guò)1.12eV的能量都會(huì)浪費(fèi)掉。在多結(jié)太陽(yáng)能電池中，不同的半導(dǎo)體可以收集不同能級(jí)的光子，從而提高總效率。

具有多結(jié)太陽(yáng)能電池的集中光伏已經(jīng)達(dá)到了超過(guò)44％的太陽(yáng)能電池效率。然而，由于成本和復(fù)雜性，正常的消費(fèi)市場(chǎng)仍然遙遙無(wú)期。

從1976年到2017年，全球最好的研究太陽(yáng)能電池的各種光伏技術(shù)的轉(zhuǎn)換效率。

資源： National Renewable Energy Laboratory (NREL), Golden, CO

當(dāng)我們了解到單晶硅比多晶硅和薄膜效率更高時(shí)，是不是意味著放棄購(gòu)買單晶硅板而忘記其余的？答案是不。

類似功率輸出的光伏電池板的尺寸比較。請(qǐng)注意，效率較低的電池，需要更大的尺寸才能獲得相同的能量

與100瓦額定值的單晶面板相比，100瓦額定的多晶面板產(chǎn)生的功率輸出量幾乎相同，但是與單晶面板相比，多晶面板的表面會(huì)更大，以輸出相同的功率量。薄膜面板的表面會(huì)更大，以獲得相同的功率輸出（取決于使用的光伏材料）。

選擇哪個(gè)面板的決定取決于我們?cè)谀睦锓胖妹姘濉Ｔ谝粋€(gè)小屋頂?shù)男》孔樱髦堑玫揭粋€(gè)非常高效的太陽(yáng)能電池板，以獲得最大的利益。很明顯，它具有更高的價(jià)格標(biāo)簽。但是，如果你有一塊草坪用于太陽(yáng)能項(xiàng)目，你可以很容易地得到相同的產(chǎn)量，非常*的太陽(yáng)能電池板效率很低，但覆蓋面積更大。

全球光伏行業(yè)逐漸走出“寒冬”，發(fā)展?jié)u漸回暖，企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況也得到較大改善。從第四季度財(cái)報(bào)來(lái)看，我國(guó)多數(shù)電池骨干企業(yè)扭虧為盈。而且隨著國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能市場(chǎng)的開(kāi)發(fā)，光伏企業(yè)的向好趨勢(shì)仍然保持*勢(shì)頭。下面，為您盤點(diǎn)一下全球光伏行業(yè)十大硅片企業(yè)的產(chǎn)能、產(chǎn)量數(shù)據(jù)。

* 協(xié)鑫光伏（GCL）　　
*：中國(guó) 產(chǎn)能：10GW　產(chǎn)量：8.6GW 　產(chǎn)能利用率：86%

NO.2 英利 　　　　
*：中國(guó) 　　產(chǎn)能：2.8GW 　　產(chǎn)量：2.3GW 　產(chǎn)能利用率：82.1%

NO.3 昱輝陽(yáng)光　　
*：中國(guó) 　　產(chǎn)能：2.2GW 　　產(chǎn)量：2.1GW 　產(chǎn)能利用率：95.5%

NO.4 綠能科技 　　
*：中國(guó)（臺(tái)灣）　　產(chǎn)能：2GW 　產(chǎn)量：1.9GW 產(chǎn)能利用率：95%

NO.5 旭陽(yáng)雷迪 　
*：中國(guó) 　產(chǎn)能：1.8GW 　　產(chǎn)量：1.6GW 　產(chǎn)能利用率：88.9%

NO.6 賽維LDK 　　
*：中國(guó) 　產(chǎn)能：3.3GW 　產(chǎn)量：1.5GW 　產(chǎn)能利用率：45.5%

NO.7 晶科能源 　　
*：中國(guó) 　產(chǎn)能：1.8GW 　產(chǎn)量：1.5GW 　產(chǎn)能利用率：83.3%

NO.8 Nexolon
*：韓國(guó) 產(chǎn)能：1.7GW 　產(chǎn)量：1.3GW 產(chǎn)能利用率：76.5%

NO.9 隆基 　
*：中國(guó) 　產(chǎn)能：1.3GW 產(chǎn)量：1.2GW 　產(chǎn)能利用率：92.3%

*0 天合光能　　
*：中國(guó)　　產(chǎn)能：1.4GW 　產(chǎn)量：1.2GW 　　產(chǎn)能利用率：85.7%

太陽(yáng)能電池片

太陽(yáng)能電池板單晶硅與多晶硅相比要貴一些，兩者區(qū)別如下：

1、制作工藝不同

加工單晶太陽(yáng)電池片，首先要在硅片上摻雜和擴(kuò)散，一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。擴(kuò)散是在石英管制成的高溫?cái)U(kuò)散爐中進(jìn)行。這樣就在硅片上形成P/N結(jié)。然后采用絲網(wǎng)印刷法，將配好的銀漿印在硅片上做成柵線，經(jīng)過(guò)燒結(jié)，同時(shí)制成背電極，并在有柵線的面涂覆減反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉，至此，單晶硅太陽(yáng)電池的單體片就制成了。

加工多晶太陽(yáng)電池片工藝過(guò)程是選擇電阻率為100～300歐姆厘米的多晶塊料或單晶硅頭尾料，經(jīng)破碎，用1：5的氫氟酸和硝酸混合液進(jìn)行適當(dāng)?shù)母g，然后用去離子水沖洗呈中性，并烘干。

用石英坩堝裝好多晶硅料，加入適量硼硅，放入澆鑄爐，在真空狀態(tài)中加熱熔化。熔化后應(yīng)保溫約20分鐘，然后注入石墨鑄模中，待慢慢凝固冷卻后，即得多晶硅錠。這種硅錠可鑄成立方體，以便切片加工成方形太陽(yáng)電池片，可提高材質(zhì)利用率和方便組裝。

2、光電轉(zhuǎn)換率不同

單晶硅電池片在實(shí)驗(yàn)室最高轉(zhuǎn)化效率為24.7%，普通商品化的轉(zhuǎn)換效率為10%-18%。多晶硅太陽(yáng)能電池實(shí)驗(yàn)室最高效率達(dá)到20.3%，普通商品化的一般為10%-16%。雖然看上去單晶硅的轉(zhuǎn)化率更高，但單晶和多晶電池片，制成的太陽(yáng)能板成品最終的效率是差不多的。

首先，單晶硅太陽(yáng)能電池和多晶硅太陽(yáng)能電池的壽命和穩(wěn)定性都很好。其次，雖然單晶硅太陽(yáng)能電池的平均轉(zhuǎn)換效率比多晶硅太陽(yáng)能電池的平均轉(zhuǎn)換效率高2%左右，但是由于單晶硅太陽(yáng)能電池只能做成準(zhǔn)正方形（四個(gè)頂端是圓弧），當(dāng)組成太陽(yáng)能電池組件時(shí)就有一部分面積填不滿，而多晶硅太陽(yáng)能電池是正方形，不存在這個(gè)問(wèn)題。因此對(duì)于太陽(yáng)能電池板來(lái)說(shuō)，效率基本是一樣的。

3、外觀不同

顏色：?jiǎn)尉Ч杳娴咨呛谏虻{(lán)色，多晶硅面底色多是藍(lán)色或彩色。

面積：相同功率的單晶板跟多晶板比較，多晶板面積稍大于單晶板面積。

太陽(yáng)能板：?jiǎn)尉Ч杼?yáng)能電池片因?yàn)橹谱鞴に噯?wèn)題，一般其半成硅錠為圓柱形，切片后單片單晶硅電池片的四角為圓角，拼接成太陽(yáng)能板后，會(huì)有明顯的菱形空隙。

多晶硅太陽(yáng)能電池片，一般其半成硅錠為立方體形，切片后單片多晶硅電池片為方形，拼接成太陽(yáng)能板時(shí)，有最高的填充率，產(chǎn)品相對(duì)也比較美觀。

4、市場(chǎng)趨勢(shì)與價(jià)格不同

由于兩種太陽(yáng)能電池材料的制造工藝不一樣，多晶硅太陽(yáng)能電池制造過(guò)程中消耗的能量要比單晶硅太陽(yáng)能電池少30%左右。

從制作成本上來(lái)講，多晶硅太陽(yáng)能電池比單晶硅太陽(yáng)能電池要*一些，材料制造更簡(jiǎn)便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，因此多晶太陽(yáng)能電池板在如今得到大量發(fā)展，也是使用的最廣泛的太陽(yáng)能電池板。

所以單晶太陽(yáng)能板市場(chǎng)價(jià)格相對(duì)高一些，但多晶太陽(yáng)能板的安裝使用更加廣泛。不過(guò)由于單晶電池不能鋪滿整塊太陽(yáng)能板，而多晶電池沒(méi)有面積上的浪費(fèi)，所以綜合起來(lái)，兩者的發(fā)電效率并沒(méi)有多大的差別。

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太陽(yáng)能光伏硅晶片

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