2022-07-05
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技術日新月異, 第三代寬禁帶半導體技術及制造工藝發展還沒有多少年,源起于日本的氧化鎵被譽為第四代半導體技術已開始國內市場發育. 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發出的β-Ga2O3晶體管。 氧化鎵的別名是三氧化二鎵,氧化鎵(Ga2O3)是一種寬禁帶半導體,也是一種透明的氧化物半導體材料,在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ,被用作于鎵基半導體材料的絕緣層,以
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