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中壓MOS管MMBF170L

中壓MOS管MMBF170L

MOS管MMBF170L是N溝道MOS場效應(yīng)管,該MOS管的關(guān)鍵參數(shù)為漏源電壓Vdss為60V,連續(xù)漏極電流Id為300mA,導(dǎo)通電阻RDS(on)為3Ω,閾值電壓Vgs(th)為2.5V,封裝類型為SOT-23。

MOS管MMBF170L是一款N溝道MOS場效應(yīng)管,由薩科微Slkor公司生產(chǎn)。其適中的電性能參數(shù)和SOT-23封裝設(shè)計使其適用于多種低功率電子應(yīng)用。

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產(chǎn)品名稱:MOS管MMBF170L


生產(chǎn)商:薩科微Slkor


產(chǎn)品類型:N溝道


電性能參數(shù):

漏源電壓(Vdss): 60V

連續(xù)漏極電流(Id): 300mA

導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs, Id): 3Ω @ 10V, 500mA

閾值電壓(Vgs(th)@Id): 2.5V @ 250uA

封裝規(guī)格:

封裝類型: SOT-23

產(chǎn)品特性與應(yīng)用:

MOS管MMBF170L是一款N溝道MOS場效應(yīng)管,由薩科微Slkor公司生產(chǎn)。其適中的電性能參數(shù)和SOT-23封裝設(shè)計使其適用于多種低功率電子應(yīng)用。


主要特性:

適中的電壓承受能力: 漏源電壓(Vdss)為60V,適用于對電壓要求較高的電路設(shè)計。

低功率應(yīng)用: 連續(xù)漏極電流(Id)為300mA,適用于低功率應(yīng)用場景。

相對低的導(dǎo)通電阻: 在10V電壓和500mA電流下,導(dǎo)通電阻為3Ω,有助于降低功耗和提高效率。

相對低的閾值電壓: 閾值電壓(Vgs(th)@Id)為2.5V @ 250uA,有助于確保精確的電路控制。

封裝優(yōu)勢:

SOT-23封裝提供了緊湊的外形,適用于空間受限的設(shè)計。三引腳設(shè)計使得它易于集成到各種電子設(shè)備中。


應(yīng)用領(lǐng)域:

MOS管MMBF170L廣泛應(yīng)用于多種低功率電子應(yīng)用,包括但不限于:

信號開關(guān): 用于低功率信號開關(guān)電路。

電源開關(guān): 適用于低功率電源開關(guān)電路。

LED驅(qū)動: 用于LED燈的低功率控制。

安全與可靠性:

MOS管MMBF170L經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和測試,確保在各種工作條件下穩(wěn)定可靠。請按照產(chǎn)品規(guī)格書和應(yīng)用注意事項正確使用。


總結(jié):

MOS管MMBF170L以其適中的電性能和緊湊的SOT-23封裝設(shè)計,為低功率電子系統(tǒng)提供了穩(wěn)定可靠的解決方案。在需要適中電壓承受能力和低功率的場景下,MMBF170L是一個值得考慮的選擇。



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