中壓MOS管SL60N10Q

SL60N10Q是N溝道MOSFET，具有100V漏源電壓和47A的連續漏極電流。導通電阻為8mΩ，閾值電壓為2.4V，適用于高功率應用。其DFN5x6-8封裝提供優異的散熱性能和緊湊設計，適合高效電源管理和電流開關電路。

該N溝道MOSFET具有100V漏源電壓和47A的連續漏極電流，導通電阻僅為8mΩ，閾值電壓為2.4V，適合高效功率開關應用。其DFN5x6-8封裝提供優異的散熱性能，支持緊湊設計，廣泛應用于電源管理和大電流控制電路。

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產品名稱：中壓MOS管

型號：SL60N10Q

概述：

SL60N10Q 是一款 N 溝道 MOSFET，工作電壓為100V，可承受最大漏電流47A，導通電阻(RDS(on))低至8mΩ@10V,20A。該器件的輸入電容(Ciss)為2.55nF，反向傳輸電容(Crss)為12pF，柵極電荷(Qg)為29nC。此外，它還具有*的溫度特性，在-55℃~+150℃的溫度范圍內均可正常工作。

特性：

- N溝道MOSFET

- 漏源電壓：100V

- 連續漏極電流：47A

- 導通電阻(RDS(on))：8mΩ@10V,20A

- 閾值電壓(Vgs(th))：2.4V@250uA

- 柵極電荷(Qg)：29nC@4.5V

- 輸入電容(Ciss)：2.55nF@15V

- 反向傳輸電容(Crss)：12pF@15V

- 工作溫度范圍：-55℃~+150℃@(Tj)

- 封裝：DFN5x6-8

應用：

該產品可廣泛應用于電源、DC-DC轉換器、電機控制、照明等領域中。

注意事項：

1. 在使用之前，請仔細閱讀產品手冊中的使用說明和警告內容。

2. 請保持器件清潔，避免污染和靜電損傷。

3. 請注意器件的最大電壓和最大電流，不要超過其額定值。

4. 請在規定的溫度范圍內使用，避免過熱或過冷的環境。

5. 請避免震動、振動和機械沖擊，以免影響器件的性能和壽命。

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文件名稱	標題	說明
SL60N10Q.pdf	SL60N10Q	-

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