综合五月天,黄色片视频免费看,www.插插插

91视频在线观看_触手动漫_老女人av_精品人妻一区二区三区四区不卡_男人亚洲天堂_欧美三级视频在线观看_污黄视频_中文日韩欧美_成年人午夜视频_爱情岛av永久入口_日日干av_激情婷婷丁香_97人人艹_日韩国产成人_成人久久久精品乱码一区二区三区_www.蜜臀av.com_91插插插视频_亚洲人成人

是時候了解氧化鎵了

在IEEE SPECTRUM中文版《科技縱覽》2002年5月刊中，已故的萊斯特?F.伊斯曼（Lester F. East-man）和烏梅什?K. 米什拉（Umesh K.Mishra）談到了當時功率半導體界的一項大膽技術：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網(wǎng)絡、雷達以及電網(wǎng)功率切換應用中的使用前景，他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用的晶體管”。伊斯曼和米什拉是對的。氮化鎵的寬帶隙（使束縛電子自由斷裂并有助于傳導的能量）和其他性質讓我們能夠利用這種材
了解更多
干貨！PLC現(xiàn)場安裝、調(diào)試全流程實戰(zhàn)經(jīng)驗

PLC控制系統(tǒng)的安裝與調(diào)試，涉及到各項工作，并且只能按序進行，一環(huán)緊扣一環(huán)，稍有不慎都將導致調(diào)試失敗，不但延誤工期，甚至會損壞設備。本文介紹了在現(xiàn)場實踐中總結出的PLC控制系統(tǒng)的安裝與調(diào)試技術經(jīng)驗，并對現(xiàn)場經(jīng)常出現(xiàn)的安裝、調(diào)試相關問題，提出探討意見和解決方案。系統(tǒng)的安裝與調(diào)試合理安排系統(tǒng)安裝與調(diào)試程序，是確保高效優(yōu)質地完成安裝與調(diào)試任務的關鍵。 1、前期技術準備系統(tǒng)安裝調(diào)試前的技術準備工作越充分，安裝與調(diào)試就會越順利。前期技術準備工作包括下列
了解更多
最強總結：27個模擬電路基礎知識！

01基爾霍夫定理的內(nèi)容是什么？基爾霍夫電流定律：在電路任一節(jié)點，流入、流出該節(jié)點電流的代數(shù)和為零。基爾霍夫電壓定律：在電路中的任一閉合電路，電壓的代數(shù)和為零。 0 2 戴維南定理一個含獨立源、線性電阻和受控源的二端電路，對其兩個端子來說都可等效為一個理想電壓源串聯(lián)內(nèi)阻的模型。其理想電壓源的數(shù)值為有源二端電路的兩個端子的開路電壓，串聯(lián)的內(nèi)阻為內(nèi)部所有獨立源等于零時兩端子間的等效電阻。 0 3 三極管曲線特性 0 4
了解更多
淺析PWM控制電機轉速的原理

經(jīng)常使用的直流電機原理就是電生磁：通電導線會產(chǎn)生磁場。也就是電磁感應旋轉磁場帶動轉子轉動。電動機是由定子和轉子組成，一個產(chǎn)生旋轉磁場，一個為磁極，電機的轉子(軸承)就轉起來了。這便實現(xiàn)了電能->磁能->機械能的轉換。下面這個圖可以更直觀的理解： PWM原理關于PWM的原理請參照這篇文章：PWM原理及其應用。通過上文大概知道，通過PWM控制電機速度，實際上是控制供電電流的大小來實現(xiàn)。通電導線在磁場中受到的力稱為安培力，而安培
了解更多
同步整流和非同步整流有什么區(qū)別？

開關電源是通過功率管打開時給電感充電，電感儲能；功率管斷開時，電感釋放能量，從而實現(xiàn)電壓變換。在功率管斷開時，電感釋放能量需要電流回路，續(xù)流元器件的選用不同，就會涉及到不同的整流方式，即同步整流和非同步整流。那么同步整流和非同步整流到底有什么差別呢？一、區(qū)分同步與非同步 01 非同步以BUCK電路為例，若電路中只有一個MOS管（功率管），而在續(xù)流回路中采用的是整流二極管（二極管具有單向導電性，不需要外加電路控制其通斷），則該電路就是非同步的，因為
了解更多
開關電源的阻尼振蕩

前兩期說了RCD電路，不可避免提到開關的尖峰。由此我想到了我們最常用的電路，Buck電路。 Buck振蕩波形 Buck電路電感前面的SW波形，想必大家都測量過，總的來說，無非下面兩種：不論是連續(xù)模式，還是斷續(xù)模式，都會有上升尖峰或者是下降尖峰，無非是大小的問題。如果我們拉開來看，尖峰可以看出來是一個振蕩波形，頻率很高。或者更明顯的，斷續(xù)模式中，在電感電流降低為0時就開始振蕩，幅度不小，并且頻率也不高。對于新手來說，可能在心
了解更多
MOS管怎么用？從認識米勒效應、開關損耗、參數(shù)匹配及選型開始

?MOS管即場效應管（MOSFET），屬于壓控型，是一種應用非常廣泛的功率型開關元件，在開關電源、逆變器、直流電機驅動器等設備中很常見，是電力電子的核心元件。 ?MOS管有N溝道和P溝道之分，N溝道相當于NPN的三極管；P溝道相當于PNP的三極管。實際設計及應用中，N溝道MOS管占絕大多數(shù)，所以下面以N溝道MOS管為例進行講解（如圖1中Q3，柵極-G；漏極-D；源極-S）。 ?MOS管的使用通常可以分為兩種情形： ①參與普通的邏輯控制，和三極管一樣作為開關管使用，電流可達數(shù)安培，如圖1為
了解更多
*半導體

作者: Gregg H. Jessen 在IEEE SPECTRUM中文版《科技縱覽》2002年5月刊中，已故的萊斯特?F.伊斯曼（Lester F. East-man）和烏梅什?K. 米什拉（Umesh K.Mishra）談到了當時功率半導體界的一項大膽技術：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網(wǎng)絡、雷達以及電網(wǎng)功率切換應用中的使用前景，他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用的晶體管”。伊斯曼和米什拉是對的。氮化鎵的寬帶隙（使束縛電子
了解更多
IC設計風云變幻，EDA工具的“定數(shù)”和“變數(shù)”

以不變應萬變在這個時代對于EDA廠商而言是行不通的，靈活性將成為EDA工具一個重要的性能指標，而靈活性是云與生俱來的本領。Frank Schirrmeiste表示：“業(yè)界正迎來SaaS作為EDA工具使用模型的時代，自動化將為用戶提供最優(yōu)的異構架構，以最高效的方式執(zhí)行EDA工作負載。” 高性能計算HPC，異構計算CPU+X，小芯片Chiplet，3nm量產(chǎn)在即……后“摩爾定律”時代，IC設計技術日新月異，給IC產(chǎn)業(yè)鏈后續(xù)的工藝、測試、封裝等一整套工序帶來了極大的挑戰(zhàn)，EDA工具同樣受到了技術風
了解更多
模擬集成電路設計流程——版圖設計基礎（二）

由于反相器版圖設計簡單，器件數(shù)量很少，所以本文后面的演示依然使用Layout L工具，關于Layout XL工具的使用大家可以自行試驗。調(diào)入NMOS和PMOS晶體管之后，選中器件，按下快捷鍵q按照原理圖中的尺寸編輯器件屬性，使MOS管的W、L與原理圖中保持一致。在編輯器件屬性的時候可以根據(jù)器件尺寸調(diào)整器件形態(tài)，比如單個器件W太大時不利于版圖布局，可以調(diào)整器件插指(Fingers)數(shù)量和插指寬度(Finger Width)之間的關系，只要器件的總寬度(Total Width)與設計值保持一致
了解更多