中國在硅光子集成領域取得里程碑式突破！

芯智訊|Core Zhixun|

2024-10-26 18:31:07 549

據“九峰山實驗室”官方消息，2024年9月，該實驗室在硅光子集成領域取得里程碑式突破性進展——成功點亮集成到硅基芯片內部的激光光源，這也是該項技術在國內的*成功實現。

顯微鏡下，片上光源芯片的光輸出視頻

隨著人工智能大模型的開發和應用，以及自動駕駛等技術的發展，對于芯片算力的需求持續提升，但是半導體先進制程工藝已經越來越逼近物理極限，在單個芯片上增加晶體管密度這條路徑越來越難，每一代制程的提升所能夠帶來的性能提升或功耗降低也越來越有限，同時還帶來成本的急劇上升，這也意味著摩爾定律無法繼續發揮作用。為此，不少半導體廠商將目光轉向了先進封裝技術，即通過將多個芯粒封裝在同一塊基板上，以提升晶體管數量，從而提高性能。

但是，在單個封裝單元中芯粒越多，它們之間的互連就越多，數據傳輸距離也就越長，傳統的電互連技術迫切需要演進升級。與電信號相比，光傳輸的速度更快、損耗更小、延遲更少，芯片間光互聯技術被認為是推動下一代信息技術革命的關鍵技術，也被認為是在后摩爾時代突破集成電路技術發展所面臨的功耗、帶寬和延時等瓶頸的理想方案。

芯片間光互聯示意圖

目前業界對硅光全集成平臺的開發最難的挑戰在于對硅光芯片的“心臟”，即能高效率發光的硅基片上光源的開發和集成上。該技術是我國光電子領域在國際上僅剩不多的空白環節。

此次九峰山實驗室硅光工藝團隊與合作伙伴協同攻關，成功在8英寸硅光晶圓上異質鍵合III-V族激光器材料外延晶粒，再進行CMOS兼容性的片上器件制成工藝，成功解決了III-V材料結構設計與生長、材料與晶圓鍵合良率低，及異質集成晶圓片上圖形化與刻蝕控制等難點。經過近十年的追趕攻關，終成功點亮片內激光，實現“芯片出光”。

九峰山實驗室8寸硅基片上光源芯片晶圓

相較于傳統的分立封裝外置光源和FC微組裝光源，九峰山實驗室片上光源技術能有效解決傳統硅光芯片耦合效率不夠高、對準調節時間長、對準精度不夠好的工藝問題，突破了制作成本高、尺寸大、難以大規模集成等量產瓶頸。

資料顯示，湖北九峰山實驗室主要聚焦于化合物半導體研發與創新，于2023年3月正式投入運營。成立一年半時間，九峰山實驗室就吸引了近30家半導體鏈條企業比鄰而居，總估值超百億元，培育半導體領域人才超3*。九峰山實驗室在這一年時間里，還實現了8英寸中試線通線運行，首批晶圓（高精密光柵）成功下線，填補了國內高線密度、超高折射率、非周期性高精密光柵生產工藝空白。

2024年2月20日，九峰山實驗室宣布全球首片8英寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓成功在該實驗室下線。該成果使用8英寸SOI硅光晶圓鍵合8寸鈮酸鋰晶圓，單片集成光電收發功能，為目前全球硅基化合物光電集成最先進技術。該項成果可實現超低損耗、超高帶寬的高端光芯片規模制造，為目前全球綜合性能最優的光電集成芯片。

除自身不斷創新突破外，作為國內為數不多的公共、開放、中立、共享的科研平臺，九峰山實驗室還與產業鏈各龍頭企業通力合作，以“用”為導向，布局開發共性技術，推進國產半導體材料、設備的驗證工作，打造化合物半導體中試平臺。

在九峰山實驗室，9000平方米的潔凈室內，有上百個項目在同時運轉：

上海邦芯半導體科技有限公司研發的刻蝕、薄膜沉積設備，在九峰山實驗室的助推下，實現多款設備的量產。

武漢驛天諾科技有限公司與九峰山實驗室合作開發的硅光及三代半導體晶圓級、芯片級、器件級封測裝備，測試精度達到微米級。

華工科技研制的首套高端半導體晶圓激光切割系列裝備借助九峰山實驗室平臺通過了中試驗證，獲取測試報告的設備已成功導入下游企業。

驛天諾科技有限公司董事長單娜表示，在九峰山實驗室平臺的引薦下，公司已經拓展了一批新客戶，獲得了一批訂單，下一步還會入駐九峰山科技園區，進一步擴大經營規模。

九峰山實驗室有關負責人此前在接受媒體采訪時表示，我們希望與更多合作伙伴共同點亮化合物半導體平臺、技術、產業的“燈塔”，為未來3～10年的技術難題進行前沿探索和技術攻關，打通全產業鏈條中的“斷點”，拉平產學研融合發展的鴻溝，引領全球化合物半導體技術進步。

目前，九峰山實驗室周邊已聚集了近30家化合物半導體龍頭企業和創新型中小企業，到2025年，這里將聚集產業鏈企業100家以上，培育1到2家細分領域龍頭企業，在存儲、化合物半導體、傳感器、先進封裝等細分領域打造一批創新產品，形成化合物半導體全產業生態。

編輯：芯智訊-浪客劍

資料來源：九峰山實驗室、光谷融媒體中心

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