誓與臺積電比高低！三星未來要砸1000億美元在代工領域

電子創新網|Electronic innovation network|

2022-03-10 13:49:20 5

在今天芯動科技主辦的2021 國產IP與定制芯片生態大會上，三星半導體總監YK Lee在發言中指出，到2030年，三星將在代工領域投資1000億美元，將三星打造為真正的代工巨頭，覆蓋接口、汽車、移動、消費和高性能處理器領域。
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YK Lee的PPT顯示，三星將在2023年量產3nm GAA工藝技術。

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他表示在每一代工藝上，三星都有改進

幾天前，三星宣布3nm GAA流片成功。在3nm節點，三星選擇了下一代工藝技術——GAA環繞柵極晶體管，通過使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。 987e4842f5b5d2876b682f0ba800efcb

根據三星的說法，與5nm制造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。
從他公布的數據看，每一代技術在速度、面積和功耗上都后明顯的改進。
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三星早在2019年就公布了3nm GAA工藝的PDK物理設計套件標準，這次3nm芯片流片是跟Synopsys合作完成的，雙方聯合驗證了該工藝的設計、生產流程，是3nm GAA工藝的里程碑。
YK Lee表示三星代工是面向所有主流領域
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針對AI和高性能計算，三星有完整的解決方案，分別是*工藝、*封裝和*ip。 0b6225c6d14273e1992c0bb94082f437

在*封裝上，半導體領頭羊都有自己的技術，臺積電有CoWoS，Intel有Foveros。三星的3D封裝技術叫X-Cube。 66935dd4cdfd4c6c0e0d00e5c213415a

X-Cube的全稱是eXtended-Cube，意為拓展的立方體。在Die之間的互聯上面，它使用的是成熟的TSV工藝，即硅穿孔工藝。目前三星自己的X-Cube測試芯片已經能夠做到將SRAM層堆疊在邏輯層之上，通過TSV進行互聯，制程是他們自家的7nm EUV工藝。三星表示這樣可以將SRAM與邏輯部分分離，更易于擴展SRAM的容量。另外，3D封裝縮短了Die之間的信號距離，能夠提升數據傳輸速度并提高能效。 X-Cube可靈活應用于未來芯片之上，包括5G、AI和高性能計算等領域的芯片均可使用該技術。三星表示X-Cube已經在自家的7nm和5nm制程上面通過了驗證，計劃和無晶圓廠的芯片設計公司繼續合作，推進3D封裝工藝在下一代高性能應用中的部署。這個短視頻介紹了這個技術。三星也有自己的*代工生態計劃（SAFE）如在SAFE EDA領域，三星有12個合作伙伴，在SAFE IP 領域，三星有52個合作伙伴。 ff3ce58b61bb0ad534e921caf0b2148a

芯動科技就是三星的IP合作伙伴，主要在GDDR6,LPDDR4X等存儲器和接口方面合作。 0af5177794ab4494d8f1e8c0096616d6

他表示三星會加大EUV產線，5月21日，三星宣布計劃提高其在韓國平澤市新生產線的晶圓代工生產能力。三星電子指出，該生產線已于本月開始建設，將專注于基于EUV的5納米及以下工藝技術，預計將于2021年下半年*投入生產。 8ea49f690315f7db0a45f70af538e19d

根據規劃，三星將于今年下半年開始在華城工廠開始批量生產5nm EUV工藝。加上平澤工廠，三星將在韓國和美國總共擁有7條晶圓代工生產線，其中包括6條12英寸生產線和1條8英寸生產線。與7nm EUV工藝對比，三星5nm EUV工藝的性能提升10%，功耗降低了20%，邏輯面積效率提升25%。總之，未來三星將是臺積電強勁對手，目前在美國和韓國，三星都有高端300mm晶圓廠。

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