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靜電保護二極管SLESD5Z24：*定位靜電防護需求

靜電保護二極管SLESD5Z24：*定位靜電防護需求

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2025-05-13 10:37:02 994

在電子設備高度集成化的今天，靜電放電（ESD）已成為威脅電路穩定性的隱形殺手。從手機觸屏的誤操作到工業設備的突發故障，ESD事件可能導致數據丟失、元件損壞甚至系統癱瘓。為此，一款高性能的靜電保護二極管——SLESD5Z24應運而生。

薩科微Slkor靜電保護二極管SLESD5Z24產品圖

關鍵參數解析：技術指標背后的防護邏輯

1. VRWM（最大反向工作電壓）：24V

VRWM定義了器件在正常工作狀態下能承受的最大持續反向電壓。SLESD5Z24的24V額定值表明，它可穩定運行于大多數低壓數字電路（如5V、3.3V系統）中，同時為瞬態過壓留出充足安全余量。這一參數直接決定了器件的適用范圍，避免因電壓波動導致誤觸發或保護失效。

2. VBR min（最小擊穿電壓）：26V

當電壓超過VBR min時，二極管進入雪崩擊穿狀態，開始導通電流以泄放靜電能量。26V的最小擊穿電壓設計，確保SLESD5Z24在正常工作電壓（24V）下保持高阻態，僅在遭遇ESD沖擊時快速響應。這種“*觸發”特性有效平衡了防護靈敏度與系統穩定性。

3. IR（反向漏電流）：5μA

漏電流是評估器件靜態功耗的關鍵指標。SLESD5Z24在24V下的漏電流僅為5μA，意味著其在待機或低功耗模式下對電路的影響可忽略不計。這一特性對于電池供電設備（如物聯網傳感器、可穿戴設備）尤為重要，可顯著延長設備續航時間。

4. VC（鉗位電壓）：35V

鉗位電壓反映了器件在泄放ESD電流時能將電壓限制在的安全閾值。SLESD5Z24的35V鉗位電壓遠低于多數半導體器件的擊穿電壓（如MOSFET柵極氧化層擊穿電壓通常為50V以上），確保被保護電路免受二次過壓損害。該參數與VBR的差值（35V-26V=9V）體現了器件的動態阻抗特性，差值越小，防護性能越優。

5. CJ（結電容）：50pF

結電容直接影響信號傳輸質量，尤其在高速接口（如USB、HDMI）中，過高的電容會導致信號失真。SLESD5Z24的50pF結電容在同類產品中處于較低水平，可兼容GHz級高頻信號，避免因保護器件引入信號完整性問題。

6. 封裝：SOD-523

SOD-523是一種超小型表面貼裝封裝，尺寸僅為1.0mm×0.6mm×0.5mm，適用于高密度電路板設計。其小體積特性不僅節省空間，還可降低寄生電感，提升ESD響應速度。

薩科微Slkor靜電保護二極管SLESD5Z24規格書

薩科微Slkor靜電保護二極管SLESD5Z24相關參數

應用場景與優勢

1. 消費電子：輕薄化設計的理想選擇

在智能手機、平板電腦等便攜設備中，SLESD524Z的SOD-523封裝可貼裝于USB接口、攝像頭模組等狹小空間，同時其低結電容特性確保高速數據傳輸（如USB 3.0）的穩定性。

2. 汽車電子：抵御復雜電磁環境

車載電子系統需應對發動機點火、電磁脈沖等干擾。SLESD5Z24可在-55℃至+150℃寬溫范圍內穩定工作，有效保護CAN總線、傳感器接口等關鍵電路。

3. 工業控制：高可靠性保障

在PLC、變頻器等設備中，SLESD5Z24的低漏電流設計可減少長期運行中的能量損耗，而35V鉗位電壓則能抵御工業現場常見的電快速瞬變脈沖（EFT）。

選型建議與注意事項

· 電壓匹配：需確保被保護電路的工作電壓低于VRWM，避免器件長期處于擊穿狀態。

· 電容優化：對于超高速接口（如10Gbps以上），建議選擇結電容更低（如10pF以下）的型號。

· 布局設計：SLESD5Z24應盡可能靠近被保護引腳，并縮短走線長度以減少寄生電感。

結語

SLESD5Z24以其*的參數設計、緊湊的封裝尺寸和*的防護性能，成為低壓電路靜電防護的優選方案。在5G、物聯網、新能源汽車等技術浪潮中，這類高性能保護器件的價值將愈發凸顯——它們不僅是電路的“安全閥”，更是系統可靠性的基石。未來，隨著材料科學與封裝工藝的進步，靜電保護二極管必將以更小的體積、更低的功耗，守護電子*的每一次創新突破。

薩科微slkor靜電保護二極管（TVS）

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