2023-02-23
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近來,氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導體”材料,得到了持續關注。超寬禁帶半導體也屬于“第四代半導體”,與第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比,氧化鎵的禁帶寬度達到了4.9eV,高于碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV,更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多的能量從價帶躍遷到導帶,因此氧化鎵具有耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等特性。并且,在同等規格下,寬禁帶材料可以制造die size更小、功率密度更高的器件,節省配套散熱和晶圓面積,進一步降低成本。 2022年8月,美國商務部產
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