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國產IGBT走上快車道

本周，一則中國本土IGBT新銳量產的消息吸引了不少眼球，7月7日，智新半導體車規級IGBT模塊實現量產，這是東風公司和中國中車戰略合作成立智新半導體公司后結出的*個碩果。據報道，此次投產的IGBT模塊，具有*的散熱性和抗電磁干擾性，能夠滿足車規級產品的高可靠性要求。這樣一來，中國新能源汽車企業又多了一個選擇，為本土汽車功率半導體供應鏈增添了砝碼。近期，不僅智新半導體，在剛剛過去的6月份，以及7月上旬，短短一個多月時間內，中國本土的IGBT芯片和模塊，特別是車用產品，不約
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重磅！MOSFET告急，大廠停工，交期延長，再漲10%-20%

7月12日消息，近日，馬來西亞除了維持無限期封城外，更實施“強化行動管制令”，當地 IDM 大廠皆被迫停工，馬來西亞因單日確診新冠肺炎疫情逾8,000人，決定實施更強硬的“強化行動管制令”，當地 IDM 大廠均被迫停工。據悉，IDM均已通知客戶交期延長至少 2 周以上，MOSFET 供給缺口將再擴大，成為現今終端最缺的零組件之一。 ON Semi 日前公告，Seremban、ISMF 兩地
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IGBT是啥？是怎么工作的

IGBT也是一種絕緣柵極型功率管作為一個組合的電子器件，能夠在交流電機，照明電路等領域是非常好的效果，這種*電流高壓應用的設備，功率自然進化實現了較高的一個擊穿電壓，有很高的電阻率消除了現有功率的缺點，通過這些改進能夠呈現更好的效果，在面對較低的壓降方面，有一個標準的雙極性相比較能夠支持電流密度并且簡化驅動力。 IGBT在打通的時候我們可以看出在等效電路中各種驅動雙極器件能夠在P區和N區創建一個通道，這種形成的電流能夠按照方式控制在一定的電壓之內，并且啟動第2個電荷流，最終結果能夠出現不同的
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了解二極管嗎？看這些就夠了

二極管是一種只允許電流單一方向流過的電子元器件，也是電子產業中非常重要的產品，如果在檢測的時候也會發現電流這種單方面通過，對檢測也起到了特性。早期的二極管因為發熱功耗大，易破損的問題促使了晶體二極管的產生，這種半導體二極管有pn階存在，所以外加電壓所具備單向導力的特點，在如今電路中使用還是非常多的，面對半導體材料基本上是硅。二極管的核心是平安節這種純硅晶片所制成的晶體二極管，能夠看出在P型和N型相接觸時產生的拼接界面，能夠形成自建電廠外加電壓等于0的時候，這種電流處于平衡狀態，如果電壓出現不平衡
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5G氮化鎵要“火”？Cree、NXP、Qorvo、住友集體出動了！

最近， 5G氮化鎵熱度大增。 Cree、Qorvo、恩智浦、Microchip等眾多企業都密集推出了5G氮化鎵產品；住友電工、恩智浦也在美國建設5G氮化鎵工廠。 GaN將在5G部署中取代LDMOS技術，預計2026年5G市場對GaN RF器件的需求規模將達到62.7億元。目前一些企業已經開始獲得大訂單，比如貳陸就獲得了6.46億元的長期供貨協議。插播：加入第三代半導體大佬群，請加微信：Joyce_sdb 住友、恩智浦建廠眾多企業密推5G氮化鎵不知是否跟世
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AOS發布符合車規標準的1200V 碳化硅MOS管（αSiC MOSFETs）

日前，集設計、研發、生產和全球銷售一體的*功率半導體、芯片及數字電源產品供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達克代碼:AOSL) 推出采用優化的TO-247-4L封裝，符合AEC-Q101標準的新型1200V碳化硅MOS管（αSiC MOSFET）—AOM033V120X2Q。這款1200V 碳化硅MOS管為可接受15V標準柵極驅動器的TO-247-4L車規封裝，并提供行業內*的最低導通電阻，滿足電動汽車（EV）車載充電機、電機驅動逆變器和車
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每片晶圓多少錢？

你知道，賣一顆芯片究竟能賺多少錢嗎？根據市場調研機構IC Insights發布的最新數據顯示，在7nm工藝需求強勁，以及5nm工藝量產的推動下， 2020年臺積電每片晶圓營收達到1634美元（約合人民幣10568元），單顆芯片營收居全球半導體產業之首，創下歷史新高！與之相比，格羅方德（Global Foundries）每片晶圓的均價只有984美元，而臺積電要比其高出66%。至于聯華電子、中芯國際這樣缺少14nm以下*工藝的對手，臺積電的*優勢則更為明顯。 IC Insights指出，聯
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場效應管：是三極管嗎？

場效應管就是一種三極管，作為一種半導體期間能夠控制電場效應來控制輸出電流，這樣的一個半導體優勢還是非常的明顯，不僅僅是噪聲小功耗低，而且動態范圍比較廣泛，可以集成，并且沒有二次擊穿的現象，在很多的電路上都有使用。場效應管的優勢是非常的明顯，因為是電壓控制器件，能夠通過柵極電壓來控制路徑電流，另外輸入端電流極小的原因是因為輸入電阻是非常大的，可以達到1000多歐在利用導電的同時能夠看出溫度的穩定是很好，不會產生較大的熱量，并且在放大電路中這種放大電路的電壓放大系數還是非常不錯的，面對這種輻射抗干
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科銳GaN-on-SiC功率放大器結合MaxLinear線性化技術，高效賦能新型超寬帶5G

科銳（Cree, Inc., 美國納斯達克上市代碼：CREE）憑借旗下 Wolfspeed 業務，在全球碳化硅（SiC）技術領域居于*地位。公司于近日宣布了與 MaxLinear, Inc. （美國紐約證券交易所上市代碼：MXL）的成功合作。MaxLinear 是射頻（RF）、模擬、數字和混合信號集成電路的*供應商。此次成功合作結合了科銳 Wolfspeed® 碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）中頻功率放大器和 MaxLinear 超寬帶線性化解決方
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華為哈勃又入股一家碳化硅企業

天眼查App顯示，近日，東莞市天域半導體科技有限公司發生工商變更，新增股東華為關聯投資機構深圳哈勃科技投資合伙企業（有限合伙）等；注冊資本由約9027萬增至約9770萬，增幅超8%。據天域官網信息，天域(TYSiC)成立于2009年。它是中國*家從事碳化硅 (SiC) 外延晶片市場營銷、研發和制造的私營企業。 2010年，天域與中國科學院半導體研究所合作，共同創建了碳化硅研究所，該研究所由該領域最優秀的人才組成。天域是中國*家碳化硅半導體材料供應鏈的企業獲得汽車質量認證(IATF 1
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