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行業(yè)數(shù)據(jù)|全球化合物半導(dǎo)體襯底、外延制造商列表

我之前發(fā)布過全球第二代和第三代化合物半導(dǎo)體晶圓襯底、外延制造商的名單，獲得不少行業(yè)朋友的反饋和指點，加上我最近一段時間的收集整理，目前名單又有不少更新，所以特地發(fā)一個新版本供大家參考這次，我把第二代、第三代（寬禁帶）材料制造商的名單放到一起，方便讀者完整了解由于部分信息來自網(wǎng)絡(luò)，不一定準(zhǔn)確，麻煩大家理解包涵。有任何問題，歡迎大家以任何方式給予反饋
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行業(yè)數(shù)據(jù)|邏輯集成電路制造工藝演進表

多年以來，基于硅襯底的邏輯集成電路制造工藝技術(shù)一直按照摩爾定律不斷發(fā)展演進。目前TSMC的3nm工藝也即將投入量產(chǎn) 對于多數(shù)人而言，代表半導(dǎo)體工藝水平的線寬尺寸自然耳熟能詳，但是隨著電路圖形的不斷縮小，各種新的技術(shù)和材料、甚至晶體管本身的結(jié)構(gòu)也發(fā)生著變化。為了方便大家參考了解，我特地查找資料并咨詢行業(yè)專家，整理了一個制造工藝演進表歡迎大家參考和分享由于個人能力和知識有限，加上數(shù)據(jù)整理時間倉促，數(shù)據(jù)中難免存在各種錯漏，希望有識之士看到以后，給予我反饋建議特此感謝，在該數(shù)
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氮化鎵快充十大發(fā)展趨勢前瞻！

氮化鎵（GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，其運行速度比舊的傳統(tǒng)硅（Si）技術(shù)快20倍，并且可以為*的快速充電器產(chǎn)品實現(xiàn)三倍的功率提升，同時可以實現(xiàn)的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過現(xiàn)有產(chǎn)品。在相同大小的情況下，輸出功率增加三倍。正是由于這些性能優(yōu)勢，GaN在消費快速充電源市場中具有廣泛的應(yīng)用。充電頭網(wǎng)的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，數(shù)十家主流電源制造商已經(jīng)開辟了氮化鎵快速充電產(chǎn)品線，并推出了數(shù)百種新型氮化鎵快速充電產(chǎn)品。此外，截至2020年，充電頭網(wǎng)絡(luò)還拆除了近一百種GaN快速充電產(chǎn)品，為電源工程師的參考選擇提供
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整流橋+TVS集成封裝都有哪些用途

Ø“整流橋+TVS”集成封裝=TVS橋即把不同規(guī)格TVS（瞬態(tài)二極管）集成在整流橋里的一種新型器件。 TVS橋的特點：為滿足北美能源之星認(rèn)證而設(shè)計，能過2.5kV振鈴波省一個器件，Layout空
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來看看最近卡脖子的汽車芯片產(chǎn)業(yè)鏈全景圖（車規(guī)級芯片）

近日網(wǎng)絡(luò)盛傳"歐美*停供中國汽車芯片"的消息，據(jù)稱歐美政府正在起草一份方案報告，美國和歐洲的半導(dǎo)體制造商，全部停止向中國汽車廠家提供芯片。在消耗完現(xiàn)有的存量后，中國汽車將進入大面積停產(chǎn)狀態(tài)。這或再次掀開了中國半導(dǎo)體“芯片之殤”的傷疤。中國自主品牌98%以上的車載半導(dǎo)體來自于歐美供應(yīng)商，在貨源受限的情況下，將進入無限期停產(chǎn)狀態(tài)。部分自主品牌不得不修改車載半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)，改用1990-2000年代的淘汰產(chǎn)品。中國各大汽車制造商的產(chǎn)能規(guī)劃接近6000萬輛，占全球汽車總產(chǎn)量的比重超
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碳化硅、氮化鎵作為5G時代熱門半導(dǎo)體有什么差別？

人工智能（AI）、邊緣運算與萬物聯(lián)網(wǎng)趨勢，帶來無所不在的感測、通訊與功率解決方案需求，化合物半導(dǎo)體的重要性也隨之暴增。從資料中心里的服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備，到手機上的 RF 功率放大器，以及為所有電子元件供應(yīng)電力的功率元件，都將因化合物半導(dǎo)體的普遍運用，在性能上出現(xiàn)重大突破。 5G通訊頻率高，能源效率更顯重要臺達(dá) 電資通訊基礎(chǔ)設(shè)施事業(yè)群技術(shù)長蔡文蔭就指出，在萬物聯(lián)網(wǎng)的未來，資料中心需處理的資料量將呈現(xiàn)爆發(fā)式成長，連帶使得資料中心對電源、冷卻
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深度！SiC產(chǎn)業(yè)鏈全解析，不可錯過

SiC是半導(dǎo)體領(lǐng)域最具成長力的材料，預(yù)計到2028年市場增長5倍。 SiC目前有兩大應(yīng)用市場，一是電動車逆變器、充電樁、太陽能發(fā)電、直流電網(wǎng)中取代硅基IGBT，二是以SiC基板（Substrate，大陸多稱之為襯底，也有稱之為blankraw wafer，空白晶圓）承載GaN做5G基地臺的RF功率放大。 SiC和GaN都是市場備受矚目的第三代半導(dǎo)體材料，*代是硅，第二代則是砷化鎵。第三代又稱寬帶隙半導(dǎo)體。其最主要應(yīng)用就是功率電子領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體兩個最重要參數(shù)
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詳解汽車上的功率半導(dǎo)體

隨著汽車電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化等發(fā)展，汽車電子迎來結(jié)構(gòu)性變革大機會。在傳統(tǒng)燃料汽車中，汽車電子主要分布于動力傳動系統(tǒng)、車身、安全、娛樂等子系統(tǒng)中。按照功能劃分，汽車半導(dǎo)體可大致分為功率半導(dǎo)體（IGBT和MOSFET等）、MCU、傳感器及其他等元器件。對于新能源汽車而言，汽車不再使用汽油發(fā)動機、油箱或變速器，“三電系統(tǒng)”即電池、電機、電控系統(tǒng)取而代之，新增DC-DC模塊、電機控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、高壓電路等部件。相應(yīng)地實現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換及傳輸?shù)暮诵钠骷β拾雽?dǎo)體含量大大增加。因此從半導(dǎo)體種類上看，傳
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小議碳化硅的國產(chǎn)化

隨著近年來美國對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重重禁運封鎖廣泛報道，大家對第二代半導(dǎo)體中的硅基半導(dǎo)體，也已經(jīng)有很多了解。而今天，我們要談的，是下一代，即第三代半導(dǎo)體中的一種重要材料——碳化硅。碳化硅（SiC），與氮化鎵（GaN）、金剛石、氧化鋅（ZnO）等一起，屬于第三代半導(dǎo)體。碳化硅等第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能。用這種特性制造的電力或電子元件，體積更小、傳輸速度更快、可靠性更高，耗能更低，最高可以降低50%以上的能量損失，積減小
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RISC-V 真的有你想象的那么好嗎

【CSDN 編者按】RISC-V 掀起大熱，毫無疑問，它未來無限光明、前途無量，但是，我認(rèn)為它還有不小的進步空間。本文將帶領(lǐng)大家一起看看 RISC-V 目前還存在的一些缺陷…… 在硬件設(shè)計方面，人們經(jīng)常吹捧的一種設(shè)計是 RISC-V，它的 ISA 是開放的，不需要授權(quán)費。許多組織都愿意全力支持 RISC-V，開源社區(qū)對它也非常有信心，然而隨著最近英偉達(dá)收購 ARM，人們開始擔(dān)憂了。但是，我認(rèn)為這些期望有些誤導(dǎo)，因為 RISC-V 的開放性并不
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