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超暴力拆解小米120W氮化鎵充電器：支離破碎中尋找國產(chǎn)芯

氮化鎵充電器的快速崛起讓消費(fèi)者不再滿足低功率的快充，而消費(fèi)者的迫切需求也促使各家廠商不斷追逐更高功率的快充方案，目前公認(rèn)的120W左右的快充算是屬于消費(fèi)電子行業(yè)*梯隊，因此本期硬核拆評將拆解一款小米的120W氮化鎵快充，看看高功率的氮化鎵快充方案有何不同？拆解全程圖文呈現(xiàn) 小米120W氮化鎵充電器外觀采用固定插腳設(shè)計，只有一個USB Type-C
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固態(tài)硬盤顆粒MLC和TLC

愛思助手顯示SSD硬盤類型為TLC，下文科普一下不同的內(nèi)存顆粒。在選購固態(tài)硬盤的時候，可能不少小伙伴會發(fā)現(xiàn)存在固態(tài)硬盤顆粒不同的型號，比如MLC和TLC等。那么常說的MLC和TLC有什么區(qū)別呢？下面就教下大家固態(tài)硬盤顆粒MLC和TLC的區(qū)別。首先，SLC、MLC、TLC及近2年新出的QLC四者是固態(tài)硬盤NAND閃存的不同類型。常說的固態(tài)硬盤顆粒MLC和TLC的區(qū)別如下： MLC(Multi-Level-Cell)即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約30
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芯片調(diào)測——ESD測試

先來談靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)是什么？這應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)過度電應(yīng)力破壞的主要元*。因?yàn)殪o電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏)，所以這種損傷是毀滅性和*性的，會造成電路直接燒毀。所以預(yù)防靜電損傷是所有IC設(shè)計和制造的頭號難題。靜電，通常都是人為產(chǎn)生的，如生產(chǎn)、組裝、測試、存放、搬運(yùn)等過程中都有可能使得靜電累積在人體、儀器或設(shè)備中，甚至元器件本身也會累積靜電，當(dāng)人們在不知情的情況下使這些帶電的物體接觸就會形成放電路徑，瞬間使
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半導(dǎo)體器件的ESD測試帶電器件模型（CDM）及靜電敏感度分級

一、ESD帶電器件模型帶電器件模型（Charged-Device Model - CDM）是第三種重要的元器件靜電放電耐受閾值的測試方法。CDM 模型與之前討論的HBM、 MM模型完全不同。HBM和MM模型是模擬人體(Human Body)或機(jī)器設(shè)備（Machine）帶電后對元器件放電，而 CDM模型則是模擬元器件本身帶電后對地放電。隨著芯片制造、封測、裝聯(lián)的自動化程度提高，人體接觸器件的機(jī)會相對減少，帶電器件ESD放電事件越來越成為微電子器件失效的主要原因之一。半導(dǎo)體器件在裝
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AUTBUS高速工業(yè)現(xiàn)場總線

當(dāng)前流程工業(yè)現(xiàn)場總線的通信速率以低速為主。HART通信速率是1.2kbps. FF H1總線和PROFIBUS PA的通信速率是31.25kbps. MODBUS RTU和PROFIBUS DP的物理層是RS-485，其通信速率不會超過12Mbps。究其主要原因，這些廣泛應(yīng)用于流程工業(yè)現(xiàn)場的總線通信技術(shù)起源于上個世紀(jì)九十年代，反映了當(dāng)時的數(shù)據(jù)通信的技術(shù)水平。而由于流程工業(yè)的自身原因，工業(yè)現(xiàn)場總線發(fā)展緩慢，以今天眼光看來已經(jīng)非常落后的技術(shù)仍然牢牢地占據(jù)了工業(yè)現(xiàn)場通信的主流地位。這些技
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學(xué)FPGA、學(xué)MCU、學(xué)FPGA +MCU？一塊板搞定！

如何快速掌握這三項(xiàng)技能呢？我們思德普推出一個管腳兼容小腳丫FPGA的新款MCU +FPGA的核心模塊，采用帶有郵票孔的DIP40封裝，方便直接插在面包板上使用、插在DIP40的擴(kuò)展板上，或者直接貼焊在自己畫的板子上。這個核心板上用的是專為蘋果手機(jī)設(shè)計的一顆超低功耗但內(nèi)部功能強(qiáng)大，尤其是內(nèi)部存儲資源很大、兼有DSP功能的FPGA - iCE40UP5K，單片機(jī)采用的是ST最近兩年主推的G系列微控制器STM32G031，這二者的組合不僅方便初學(xué)者同時擁有
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無系統(tǒng)不“模擬”、看頻譜理解設(shè)計！

當(dāng)前，F(xiàn)PGA的學(xué)習(xí)板基本都是數(shù)字系統(tǒng)的 - 搭配按鍵、顯示屏、傳感器，做點(diǎn)邏輯控制、顯示、網(wǎng)絡(luò)、數(shù)字信號處理等方面的編程等。很少看到數(shù)字 + 模擬混合在一起的綜合系統(tǒng)學(xué)習(xí)套件。對于渴望學(xué)習(xí)模擬電路的同學(xué)、工程師來講，只是做一些獨(dú)立模塊的設(shè)計、測試而學(xué)習(xí)和掌握到的知識點(diǎn)都是支離破碎的。無系統(tǒng)、不模擬！只有在一個綜合性的系統(tǒng)應(yīng)用中，才能深刻理解模擬電路的精髓。為此，我們專為小腳丫FPGA核心板設(shè)計了一款幾乎包含了所有主要模擬器件功能的“模擬電路設(shè)計學(xué)習(xí)套件”，以高速信號發(fā)生器和高速數(shù)據(jù)采集為
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Python完全自學(xué)教程，從入門到進(jìn)階，教你提升工作效率，自動化辦公

有這么一門編程語言可以解決你的困惑：Python。今天帶領(lǐng)大家了解Python的誕生到熱門。 Python的發(fā)明者是一位荷蘭程序員，名叫：Guido van Rossum，江湖人稱龜叔，也稱之為Python之父。龜叔之所以設(shè)計Python，正是因?yàn)楫?dāng)時市面上已有的編程語言要么語法復(fù)雜、學(xué)習(xí)成本太高，要么功能不夠強(qiáng)大，很多事情無法完成，所以經(jīng)過開發(fā)在1991年*個Python編輯器誕生。現(xiàn)在Python編輯器已升級到3.11版本
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功率半導(dǎo)體器件學(xué)習(xí)筆記

*代半導(dǎo)體Si基二極管簡介：單個PN結(jié)結(jié)構(gòu)，導(dǎo)通和斷開兩種狀態(tài)，不具備放大，單向?qū)ǎ? 無外部電流、電壓控制，就是0和1的狀態(tài)，電壓電流較小。應(yīng)用：各種電子設(shè)備，工業(yè)設(shè)備。晶體管：BJT 簡介：背靠背的PN結(jié)結(jié)構(gòu)，通過電流驅(qū)動實(shí)現(xiàn)線性放大功能，具有放大工作區(qū)域，能夠?qū)崿F(xiàn)電流放大作用；耐壓較高，導(dǎo)通電子較低，能放大電流，但是有拖尾電流，限制了開關(guān)速度。應(yīng)用：放大器電路、驅(qū)動揚(yáng)聲器、電動機(jī)等。電壓及頻率：20-1700V，≤20kHz。
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2022英特爾? FPGA中國技術(shù)周——11月14日技術(shù)日

11月14日至18日，2022英特爾?FPGA中國技術(shù)周（IFTD）將與全球各市場同步線上舉辦，來自國內(nèi)外的技術(shù)專家將在五天的時間里，從產(chǎn)品、軟件開發(fā)與設(shè)計、云計算、嵌入式、網(wǎng)絡(luò)五大主題領(lǐng)域展開技術(shù)詳解。每日一主題、每天兩小時，通過二十余場主題演講及技術(shù)方案分享，助您全覽英特爾?FPGA產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢和落地實(shí)踐方案。無論您是來自企業(yè)級用戶、云服務(wù)商、通信運(yùn)營商、網(wǎng)絡(luò)及邊緣的技術(shù)相關(guān)管理者、硬件與邏輯設(shè)計工程師，還是開發(fā)者、系統(tǒng)架構(gòu)師，參與技術(shù)周活動，您將掌握英特爾?FPGA最新資訊，獲取技術(shù)
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