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產品概述：
slkor薩科微BC856BW是一款高性能PNP型晶體管，適用于低功率應用和高頻電路。該晶體管具有穩定的性能和可靠性，廣泛應用于多種電子設備中。
主要特性：
晶體管類型：PNP
集射極擊穿電壓(Vceo)：-65V，具有較高的電壓容量。
集電極電流(Ic)：-15nA，適用于低功率應用。
功率(Pd)：150mW，能夠耗散較高的功率。
集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.65V @ -100mA, -5mA，具有低飽和電壓特性。
直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：220 @ -2mA, -5V，具有較高的直流電流放大倍數。
特征頻率(fT)：100MHz，適用于高頻電路。
工作溫度：最高可達+150℃(Tj)，適用于高溫環境。
應用領域：
低功率電子設備和電路
高頻放大器和振蕩器
信號放大和開關控制電路
通信設備和無線電頻段應用
產品優勢：
高電壓容量，適應多種應用需求。
低飽和電壓，能夠實現快速開關操作。
高直流電流增益，有利于信號放大和控制。
特征頻率高，適用于高頻電路設計。
工作溫度范圍廣，適應不同環境需求。
注意事項：
在使用BC856BW時，請確保不超過指定的最大集射極擊穿電壓。
注意控制集電極電流和基極電流，以確保在安全工作范圍內。
在設計電路時，考慮散熱和功率耗散，以確保晶體管正常工作。
為了獲取更多技術支持和產品信息，請聯系薩科微（Slkor）客戶服務團隊。
| 文件名稱 | 標題 | 說明 |
|---|---|---|
| BC856BW SOT-323.pdf | BC856BW SOT-323 | - |
支持
如果您需要設計/技術支持，請告知我們并填寫 應答表 我們會盡快回復您。
Longevity
The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.
晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -20V 集電極電流(Ic): -5A 功率(Pd): 0.5W 集電極截止電流(Icbo): 0.5uA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.35V@-4A, 0.1A 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -2V 特征頻率(fT): 60MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89
晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：-60V 集電極電流(Ic)：-3A 功率(PC)：10W 集電極截止電流(Icbo)：-10μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-1.5A,-0.15A 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：60@-0.2A,-2V 特征頻率(fT)：- 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：TO-252
晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -80V 集電極電流(Ic): -1A 功率(Pd): 0.5W 集電極截止電流(Icbo): -1μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.4V@-500mA, -50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.1A, -3V 特征頻率(fT): 20MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89
晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：32V 集電極電流(Ic)：800mA 功率(PT)：200mW 集電極截止電流(Icbo)：0.5μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：0.4V@500mA,50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：390@100mA,3V 特征頻率(fT)：150MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -32V 集電極電流(Ic): -2A 功率(Pd): 0.5W 集電極截止電流(Icbo): -1μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.5V@-2A, -0.2A 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -3V 特征頻率(fT): 100MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89
晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：-50V 集電極電流(Ic)：-100mA 功率(PD)：200mW 集電極截止電流(Icbo)：-0.1μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-100mA,-10mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：200@-1mA,-6V 特征頻率(fT)：180MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：-50V 集電極電流(Ic)：-2A 功率(PC)：500mW 集電極截止電流(Icbo)：-100nA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.35V@-1A,-50mA 直流電流增益max(hFE@Ic,Vce)：270@-500mA,-2V 特征頻率(fT)：200MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-89
晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -120V 集電極電流(Ic): -800mA 功率(Pd): 500mW 集電極截止電流(Icbo): -100nA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): -1V@-500mA, -50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 240 @ -100mA, -5V 特征頻率(fT): 120MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89
