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產品概述:
MMDT2907A是由薩科微（Slkor）生產的PNP型三極管，是一款常用的通用型半導體器件，適用于各種低功率放大和開關應用。
主要技術規格:
晶體管類型: PNP
集射極擊穿電壓(Vceo): 60V
集電極電流(Ic): 600mA
功率(PC): 200mW
集電極截止電流(Icbo): 100nA
集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.4V @ 150mA, 15mA
直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 75 @ 0.1mA, 10V
特征頻率(fT): 200MHz
工作溫度: -55℃ 到 +150℃ (Tj)
封裝信息:SOT-363
主要特性和優勢:
適中集射極擊穿電壓(Vceo): 60V的集射極擊穿電壓，適用于一般低壓電路設計。
適中集電極電流(Ic): 600mA的集電極電流，適用于低功率應用場景。
適中功率(PC): 200mW的功率，提供適度的功率處理能力。
低集電極截止電流(Icbo): 100nA的截止電流，有助于降低功耗。
低集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)): 0.4V @ 150mA, 15mA，具有低壓降，提高效率。
較高直流電流增益(hFE): 75 @ 0.1mA, 10V，提供增益的精確控制。
適中特征頻率(fT): 200MHz的特征頻率，適用于一些中頻應用。
應用領域:
MMDT2907A三極管廣泛應用于低功率放大器、開關電源、數字邏輯、射頻放大器等電子設備和電路。
注意事項:
在使用MMDT2907A三極管時，請仔細閱讀生產商提供的規格書和建議，以確保最佳性能和可靠性。
以上信息可能會因制造商更新而有所改變，建議在購買前查閱最新的規格書。
| 文件名稱 | 標題 | 說明 |
|---|---|---|
| MMDT2907A SOT-363.pdf | MMDT2907A SOT-363 | - |
支持
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Longevity
The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.
晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -20V 集電極電流(Ic): -5A 功率(Pd): 0.5W 集電極截止電流(Icbo): 0.5uA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.35V@-4A, 0.1A 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -2V 特征頻率(fT): 60MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89
晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：-60V 集電極電流(Ic)：-3A 功率(PC)：10W 集電極截止電流(Icbo)：-10μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-1.5A,-0.15A 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：60@-0.2A,-2V 特征頻率(fT)：- 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：TO-252
晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -80V 集電極電流(Ic): -1A 功率(Pd): 0.5W 集電極截止電流(Icbo): -1μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.4V@-500mA, -50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.1A, -3V 特征頻率(fT): 20MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89
晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：32V 集電極電流(Ic)：800mA 功率(PT)：200mW 集電極截止電流(Icbo)：0.5μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：0.4V@500mA,50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：390@100mA,3V 特征頻率(fT)：150MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -32V 集電極電流(Ic): -2A 功率(Pd): 0.5W 集電極截止電流(Icbo): -1μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.5V@-2A, -0.2A 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -3V 特征頻率(fT): 100MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89
晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：-50V 集電極電流(Ic)：-100mA 功率(PD)：200mW 集電極截止電流(Icbo)：-0.1μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-100mA,-10mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：200@-1mA,-6V 特征頻率(fT)：180MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：-50V 集電極電流(Ic)：-2A 功率(PC)：500mW 集電極截止電流(Icbo)：-100nA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.35V@-1A,-50mA 直流電流增益max(hFE@Ic,Vce)：270@-500mA,-2V 特征頻率(fT)：200MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-89
晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -120V 集電極電流(Ic): -800mA 功率(Pd): 500mW 集電極截止電流(Icbo): -100nA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): -1V@-500mA, -50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 240 @ -100mA, -5V 特征頻率(fT): 120MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89
