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三極管MMDT3904

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晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -20V 集電極電流(Ic): -5A 功率(Pd): 0.5W 集電極截止電流(Icbo): 0.5uA 集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.35V@-4A, 0.1A 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -2V 特征頻率(fT): 60MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89
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晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：-60V 集電極電流(Ic)：-3A 功率(PC)：10W 集電極截止電流(Icbo)：-10μA 集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-1.5A,-0.15A 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：60@-0.2A,-2V 特征頻率(fT)：- 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：TO-252
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晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：32V 集電極電流(Ic)：800mA 功率(PT)：200mW 集電極截止電流(Icbo)：0.5μA 集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：0.4V@500mA,50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：390@100mA,3V 特征頻率(fT)：150MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
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三極管2SB1188-R

晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -32V 集電極電流(Ic): -2A 功率(Pd): 0.5W 集電極截止電流(Icbo): -1μA 集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.5V@-2A, -0.2A 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -3V 特征頻率(fT): 100MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89
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三極管2SA812-M7

晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：-50V 集電極電流(Ic)：-100mA 功率(PD)：200mW 集電極截止電流(Icbo)：-0.1μA 集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-100mA,-10mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：200@-1mA,-6V 特征頻率(fT)：180MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
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晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：-50V 集電極電流(Ic)：-2A 功率(PC)：500mW 集電極截止電流(Icbo)：-100nA 集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.35V@-1A,-50mA 直流電流增益max(hFE@Ic,Vce)：270@-500mA,-2V 特征頻率(fT)：200MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-89
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晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -120V 集電極電流(Ic): -800mA 功率(Pd): 500mW 集電極截止電流(Icbo): -100nA 集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): -1V@-500mA, -50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 240 @ -100mA, -5V 特征頻率(fT): 120MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89

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