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為什么SiC器件不能取代IGBT？

為什么SiC器件不能取代 IGBT？ ??碳化硅(SiC)器件的生產工藝和技術日趨成熟，目前市場推廣的最大障礙是成本。包括研發和生產成本，以及應用中碳化硅器件替代 IGBT后，整個電路中驅動電容電阻的成本。除非廠家推，而且真的可以降低成本，提高性能。畢竟，采用新事物會花費很多。由于制造成本和產品良率的影響，目前阻礙SiC產品大規模進入市場的主要原因是價格偏高，一般是同類Si產品的10倍左右。雖然未來碳化硅(SiC)器件以技術進步和成本降低取代IGBT是必然的，性能可能很強，但真正能成為大勢所趨的不僅僅是
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常用的IGBT緩沖電路有哪些？

常用的 IGBT緩沖電路有哪些？ ??由于電力電子器件具有on、on、關斷和off四種工作狀態，因此off和on狀態分別承受高電壓和大電流，而在on和關斷，過程中，開關器件可能同時承受過壓和過流、過大的di/dt、du/dt和過大的瞬時功率。因此，為了防止器件由于高電壓和高電流而損壞，在電路中增加了緩沖電路。關斷緩沖電路吸收器件的關斷過壓和換相過壓，抑制du/dt并降低關斷損耗。導通緩沖電路抑制器件導通時的電流過沖和di/dt，降低器件的導通損耗。 ??在現代生活中， IGBT作為一種完全可
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如何用萬用表檢測可控硅

如何用萬用表檢測可控硅 ?? 可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都有三個電極。單向可控硅整流器具有陰極(K)、陽極(A)、控制極(G)。雙向可控硅相當于兩個單可控硅反向并聯。即一個單向硅陽極與另一個陰極并排連接，其引出端稱為T2極，一個單向硅陰極與另一個陽極連接，其引出端稱為T2極，其余為控制電極(G)。 ??1.區分單向和雙向可控硅：首先，測量兩極。如果正負測量指針不動(R×1擋)，它們可能是A、K或G、A極(對單向可控硅)或T2、T1或T2、G極(對雙向可控硅)。
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半導體三極管參數符號及其意義

半導體三極管參數符號及其意義 ??如果共發射極電流放大系數β=IC/IB =100，集電極電流IC=β*IB=10mA。集電極負載電阻為500Ω時，電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶體管集電極和發射極之間的電壓降VCE=5V。如果在基極偏置電路中疊加一個交流小電流ib，集電極電路中就會出現相應的的交變電流ic，有c/ib=β，從而實現雙極晶體管的電流放大。 ??金屬氧化物半導體場效應晶體管的基本工作原理是通過半導體表面的電場效應在半導體中感應出導電溝道。當柵極G電壓VG增大時，P
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模塊選型注意事項-導通角要求

模塊選型注意事項-導通角要求 ??模塊在較小導通角時(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流，這樣會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值，但有效值會超過模塊標稱值的幾倍。因此，要求模塊應在較大導通角下(100度以上)工作。 ??其它要求： ??(1)當模塊控制變壓器負載時，如果變壓器空載，輸出電流可能會小于晶閘管芯片的擎住電流，導致回路中產生較大直流分量，嚴重時會燒掉保險絲。為了避免出現上述情
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模塊保護-過熱保護

模塊保護-過熱保護 ??散熱狀況是影響模塊能否安全工作的重要因素。*的散熱條件不僅可以保證模塊的可靠運行，防止模塊過熱燒毀，還可以提高模塊的電流輸出能力。 ??使用中，當散熱條件不滿足規定要求時，如房間溫超為40 ℃，強制風冷出口風速小于6m/s等。應立即降低模塊的額定電流，否則會因芯片結溫超的允許值過大而損壞模塊例如，根據規定，應使用風冷模塊，而不是自冷。額定電流應降低到初始值的30-40%，否則，如果改用水冷，額定電流可提高30-40%。 ??散熱效果參考標準：保持模塊底板溫度在80
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重磅發布！立創EDA專業版全離線客戶端！

相信這一刻，你我都等待了太久，經過數個版本的公測，現終于發布專業版客戶端正式版本！當然，它依然是「免費」的！立創EDA會將免費國產PCB設計工具貫徹到底，立志于為用戶提供簡單易用且高效的設計工具！立創EDA專業版客戶端支持三大運行模式「全在線模式」需要登錄，庫和工程都存在云端，支持協作，支持自動備份云端工程到本地；「半離線模式」不需
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模塊保護-過壓保護

模塊保護-過壓保護 ??晶閘管的過電壓能力極差。當元件的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短，元件也會被反向擊穿損壞。如果直流電壓超過晶閘管的正向導通電壓，會導致晶閘管硬導通，不僅會使電路工作異常，而且在幾次硬導通后還會降低元件的正向導通電壓，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此，必須采取過電壓保護措施來抑制晶閘管上可能出現的過電壓。模塊的過電壓保護建議采用阻容吸收和壓敏電阻的保護措施。 ??(1)阻容吸收回路 ??晶閘管通斷時，與開關電路一樣，由于線路電感(主要是變壓器漏電感LB)釋放
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模塊保護-過流保護

模塊保護-過流保護 ??如果想獲得更安全的過流保護，建議用戶優先選擇內置過流保護功能的模塊。此外，還可以使用外部快速保險絲、快速過流繼電器和傳感器。快速熔斷是最簡單也是最常用的方法，介紹如下： ??(1)接線方式：快速熔斷器接至模塊交流輸入端。以三相整流模塊和單相交流模塊為例。 ??(2)快速熔斷器的選擇： ? 熔斷器的額定電壓應大于電路上的正常工作電壓。熔斷器的額定電流應在滿足負載正常運行的前提下盡可能小。公司電話：+86-0755-83044319 傳
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恒流恒壓使用晶閘管控制模塊的技術解決方案

恒流恒壓使用晶閘管控制模塊的技術解決方案 ??(1)關于模塊*使用的常見問題 ??在使用該模塊之前，可以進行簡單的功能測試，可以測試恒流功能或恒壓功能，但選擇恒壓功能測試更方便。以下是關于*使用的常見問題，可能對你有啟發。 ??調節給定信號時模塊無電流或電壓輸出，但給定信號和施加的12V電源正常。 ??處理：你需要重置模塊。 ??施加恒壓時，電壓表測量的輸出電壓不準確或不連續。 ??原因：你的負荷太小。請將其替換為大于100w的負載。 ??施加恒流時，給定信號很小，模塊為全電壓
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