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薩科微關(guān)于基礎(chǔ)型開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖的介紹（4）

市場上開關(guān)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖是多種多樣的，但經(jīng)過總結(jié)整理不難發(fā)現(xiàn)，其實(shí)無非就只有14種，其他的無外乎是這14種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖的組合或變形，接下來給大家分享兩種開關(guān)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖。一、Forward 正激特點(diǎn)： ■降壓電路的變壓器耦合形式。 ■不連續(xù)的輸入電流，平滑的輸出電流。 ■因?yàn)椴捎米儔浩鳎敵隹梢源笥诨蛐∮谳斎耄梢允侨魏螛O性。 ■增加次級繞組和電路可以獲得多個輸出。 ■在每個開關(guān)周期中必須對變壓器磁芯去磁。常用的做法是增加一個與初級繞組匝數(shù)相同的繞組
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MOS管和三極管的功能差異

MOS管和三極管的功能差異 ??MOS晶體管和三極管？的功能區(qū)別是什么這兩個元件本身可以看作是一個基本單元和一個獨(dú)立的器件。即使把外殼拆開，肉眼也看不出有什么區(qū)別，從工作原理上理解起來很混亂。 ??如果你用手同時觸摸 MOS管的G極(柵極)和正電源極，LED燈就會發(fā)光，即使你松開手，它也會繼續(xù)發(fā)光。至于為什么會出現(xiàn)這種情況，可以簡單理解為當(dāng)G極的電位升高時，D極(漏極)和S極之間會形成一個導(dǎo)電通道(源極)，相當(dāng)于一根導(dǎo)線。 ??導(dǎo)通時D極和S極之間的壓降也可以用萬用表量，計(jì)算，壓降接近
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什么是MOS管？MOS管的功能和特點(diǎn)又是什么呢?

什么是 MOS管？ MOS管的功能和特點(diǎn)又是什么呢? ??MOS場效應(yīng)晶體管通常簡稱為場效應(yīng)管，是一種基于場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。與普通雙極型晶體管相比，F(xiàn)ET具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗低、易于集成等特點(diǎn)，得到了越來越廣泛的應(yīng)用。 ??場效應(yīng)管 ??場效應(yīng)晶體管有很多種，主要分為結(jié)型場效應(yīng)晶體管和絕緣柵場效應(yīng)晶體管，它們都有N溝道和P溝道。 ??柵極場效應(yīng)管又稱金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱MOSFET，分為耗盡型MOS晶體管和增強(qiáng)型MOS晶體管。 ??場效應(yīng)晶體
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薩科微基礎(chǔ)型電源開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖分享（3）

開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖千變?nèi)f化，但不管如何變化基本是基于基礎(chǔ)型電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖的組合或變形，基礎(chǔ)型開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖歸納起來基本是14種，接下來就個大家做一下介紹。二、基本的脈沖寬度調(diào)制波形這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都與開關(guān)式電路有關(guān)，基本的脈沖寬度調(diào)制波形定義如下：八、Two-Transistor Forward雙晶體管正激特點(diǎn)： ■兩個開關(guān)同時工作。 ■開關(guān)斷開時，存儲在變壓器中的能量使初級的極性反向，使二極管導(dǎo)通。主要
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四個氮化鎵在新應(yīng)用領(lǐng)域下的機(jī)遇！

2021年，隨著5G、消費(fèi)電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換和新能源汽車需求的增加，基站、換能器和充電站的需求將大幅增加，對氮化鎵和碳化硅饋線的需求將增加。據(jù) TrendForce集邦咨詢研究顯示，GaN功率元件至2025年市場規(guī)模將達(dá) 13.2億美元，年復(fù)合成長率高達(dá) 94%。新應(yīng)用下，氮化鎵的“革命”！與硅相比，GaN 具有寬帶隙、高電子飽和率、高擊穿場電場以及較低的傳導(dǎo)損耗和 EMF 特性。 GaN能源主要用于消費(fèi)產(chǎn)品、新能源汽車、通信和數(shù)據(jù)中心。在碳達(dá)峰、碳中和的背景下，氮
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IGBT場效應(yīng)管的工作原理和檢測方法

IGBT場效應(yīng)管的工作原理和檢測方法 IGBT，又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型晶體管(BJT)和絕緣柵場效應(yīng)晶體管(MOS)組成的復(fù)合全控電壓驅(qū)動功率半導(dǎo)體器件。它的輸入是MOSFET，輸出是PNP晶體管。因此，它可以被視為金屬氧化物半導(dǎo)體輸入的達(dá)林頓晶體管。它結(jié)合了MOSFET高輸入阻抗和GTR低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)，具有易驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高(10-40hz)等特點(diǎn)。它已逐漸取代晶閘管和門極關(guān)斷晶閘管(GTO)，是目前發(fā)展最快的新一代電力電子器件。廣泛應(yīng)用于小體積高效
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IGBT單管和MOS管有哪些區(qū)別呢？

IGBT單管和MOS管有哪些區(qū)別呢？怎么區(qū)別IGBT單管和MOS管呢？我們可以從以下三點(diǎn)進(jìn)行分析。 1.結(jié)構(gòu)上，以n型溝道為例，IGBT與MOS管的區(qū)別在于MOS管的襯底為n型，IGBT的襯底為p型。2.原則上， IGBT相當(dāng)于 MOS管和雙極器件的組合。背面P型層的空穴注入降低了器件的導(dǎo)通電阻，但同時也會引入拖尾電流等問題。 3.從產(chǎn)品來看， IGBT一般用于高壓電源產(chǎn)品，從600伏到幾千伏不等； MOS管的應(yīng)用電壓相對較低，從10伏到1000伏左右。公司電話
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薩科微分享比較常見的開關(guān)電源拓?fù)鋱D（2）

開關(guān)電源拓?fù)鋱D，作為電子工程師來說應(yīng)該并不陌生，比較常見的基礎(chǔ)型拓?fù)鋱D大約14種，每種都有自身的特點(diǎn)和適用場合。另外還有更多的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖大多也是這些基礎(chǔ)型的組合或變形。以下分享兩種比較常見的，了解下它們電路結(jié)構(gòu)的工作原理與基本特性。一、Buck 降壓特點(diǎn)： ■把輸入降至一個較低的電壓 ■可能是最簡單的電路 ■電感/電容濾波器濾平開關(guān)后的方波 ■輸出總是小于或等于輸入 ■輸入電流不連續(xù) (斬波) ■輸出電流平滑二、Buck-Boos
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薩科微比較常見開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)介紹（一）

什么是拓?fù)洌克^電路拓?fù)洌褪请娐分泄β势骷碗姶旁倪B接方法，而磁性元件的設(shè)計(jì)、閉環(huán)補(bǔ)償電路的設(shè)計(jì)以及其他所有電路元件的設(shè)計(jì)都依賴于拓?fù)洹Ｗ罨镜耐負(fù)溆薪祲海╞uck）、升壓（boost）和降壓/升壓（boost/buck）、非對稱反激（isolated flyback）、正向、推挽、半橋和全橋變換器。開關(guān)電源拓?fù)溆写蠹s14種常見的拓?fù)洌恳环N都有自己的特點(diǎn)和適用場合。選擇的原則是看是大功率還是小功率，是高壓還是低壓輸出，元器件是否盡量少。因此，要適當(dāng)?shù)剡x擇拓?fù)洌?/p> 了解更多
場效應(yīng)管放大電路設(shè)計(jì)

1、測量場效應(yīng)管輸入電阻時，應(yīng)考慮哪些因素。 DA）由于場效應(yīng)管輸入電阻較高，一般可達(dá)10M以上，所以在測量時一定要使用高內(nèi)阻表測量，注意預(yù)防靜電擊穿柵極，并要注意對外界信號隔離，以防感應(yīng)信號的寄生在測量回路中，影響測量。 2、為什么場效應(yīng)管輸入端的耦合電容一般只要0。02uf左右？ DA）耦合電容的大小是和輸出、輸入電阻有關(guān)，因?yàn)閳鲂?yīng)管的輸入電阻高，所以一般使用到0.01-0.02uF就夠了（這和50年代的電子管很象） 3、為什么場效應(yīng)管放大器放大倍數(shù)一般沒有晶體管的電壓放大倍
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