長久以來，臺積電在芯片代工領(lǐng)域一直都是扮演著霸主角色。無論代工技術(shù)，還是代工規(guī)模，均是*對手。不過最近一段時間，網(wǎng)上關(guān)于“芯片代工市場變天”、“三星取代臺積電”的消息層出不窮。
原因在于三星在不久前舉辦的IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會上，展示了全球*3nm芯片。
而且，三星展示的這款芯片不僅使用最先進(jìn)制程工藝，還快臺積電一步升級了GAAFET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)技術(shù)。
簡單來說，目前臺積電和三星生產(chǎn)5nm芯片時，都是使用FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)技術(shù)。三星3nm芯片所采用的GAAFET技術(shù)，被視為是FinFET的次世代技術(shù)。
這項技術(shù)優(yōu)點是構(gòu)造優(yōu)秀，采用FinFET技術(shù)的芯片，能夠包容更多的晶體管。
而GAAFET技術(shù)不僅保持FinFET技術(shù)優(yōu)點，還能對芯片上的晶體管進(jìn)行排序調(diào)整，最大限度提升能源利用率。以此達(dá)到節(jié)能、減熱的效果。
根據(jù)三星官方給出的數(shù)據(jù)，使用GAAFET技術(shù)的3nm芯片，比使用FinFET技術(shù)的3nm芯片，功耗降低了50%，性能提升了30%。
如果三星給出的數(shù)據(jù)真實，那么擁有GAAFET技術(shù)加持的三星3nm芯片，表現(xiàn)必然勝過同時期的臺積電芯片。三星反超臺積電，成為**芯片代工廠商的目標(biāo)或?qū)⒃诮鼉赡昃涂梢詫崿F(xiàn)。
不過，臺積電并非是沒有后手。要知道，臺積電在市場上一直都是以精湛的技術(shù)傲視群雄。此次面對來勢洶洶的三星，臺積電也開始提速，并且在芯片工藝上進(jìn)行了技術(shù)升級。
根據(jù)臺媒報道，臺積電將聯(lián)手日本芯片產(chǎn)業(yè)共同沖刺2nm芯片。日本雖然沒有先進(jìn)的晶圓代工廠，但是日本在先進(jìn)工藝的上游卻占有很重要的位置。
以國內(nèi)用戶最為熟悉的EUV光刻機為例，眾所周知，全球只有ASML一家公司擁有生產(chǎn)EUV光刻機的能力。但很多人都不知道，ASML公司缺少日本企業(yè)幫助，也根本不可能造出EUV光刻機。
日本企業(yè)在EUV光刻機制造的多個環(huán)節(jié)都發(fā)揮著重要作用。日本東京電子占據(jù)光刻機涂布顯影設(shè)備市場100%份額，日本Lasertec Corp公司還是全球*能生產(chǎn)EUV光罩檢測設(shè)備的企業(yè)，而在光刻膠銷售方面，日本廠商的份額同樣遙遙*。
對于臺積電而言，借助日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深厚的技術(shù)基礎(chǔ)，新技術(shù)研發(fā)將會事半功倍。而日本同樣十分期待與臺積電合作。事實上早在2020年，日本就向臺積電伸出了橄欖枝，邀請臺積電赴日建立先進(jìn)的芯片制造工廠。
此外，日本還將東京電子、佳能、SCREEN等本土芯片設(shè)備巨頭拉攏到一起，組出了一支研發(fā)團隊，計劃在今年年中確立2nm之后的次世代半導(dǎo)體制造技術(shù)，并要求這些公司設(shè)立測試產(chǎn)線，研發(fā)相關(guān)的細(xì)微電加工、洗凈技術(shù)?？梢哉f，日本為此次合作已經(jīng)做好了充足的準(zhǔn)備。
結(jié)合之前臺積電公布的消息來看，臺積電將在2nm工藝上使用MBCFET(多橋通道場效應(yīng)晶體管)技術(shù)，這也是GAAFET技術(shù)的一種，這項工藝會在2023年小規(guī)模試產(chǎn)，2024年開始普及。比三星的3nmGAAFET技術(shù)更先進(jìn)。
而除了三星和臺積電，另外一家芯片巨頭英特爾也對芯片代工市場虎視眈眈。不過，短期來看，英特爾的實力與三星、臺積電還有不小的差距。
三星和臺積電的強強對話將是未來五到十年芯片代工市場最常見的景象。
你認(rèn)為三星和臺積電哪家廠商會笑到最后？
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