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400G 以太網PAM-4信令取代NRZ

由于 NRZ 信令不足并且 PAM-4 能夠以波特率的一半實現更高的比特率，因此設計人員可以繼續以有望達到 400G 的以太網數據速率使用現有信道
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TOF飛行時間技術

飛行時間技術在廣義上可理解為通過測量物體、粒子或波在固定介質中飛越一定距離所耗費時間
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特斯拉下一代永磁電機去稀土分析

特斯拉公司表示，新一代永磁電機可以在效率和質量上達到甚至比稀土材料電機更高的水平。
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HVPE 法 GaN 單晶摻雜研究新進展

GaN 半導體晶體材料的基本結構和性質，綜述了近年來采用 HVPE 法生長高質量 GaN 晶體的主要研究進展；對 GaN 的摻雜特性、摻雜劑類型、生長工藝以及摻雜原子對電學性能的影響進行了詳細介紹
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固態與半固態動力電池

由于科學界認為鋰離子電池已經到達極限，固態電池于近年被視為可以繼承鋰離子電池地位的電池。
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對話兆芯微電子公司總經理歐沅昊：RISC-V框架在智能汽車領域的運用

RISC-V（Reduced Instruction Set Computing Five）是一種基于精簡指令集計算機（RISC）原則的開源指令集架構（ISA）。RISC-V最初于2010年由加州大學伯克利分校的研究人員提出，并逐漸成為開源計算機架構中的一股強大力量。RISC-V架構的出現和發展，不僅推動了開源計算機架構的發展，也為智能汽車行業的未來發展提供了新的可能性和方向。上海交通大學深圳行業研究院首席科學家、院長助理蔣煒教授與兆芯微電子公司總經理歐沅昊針對RISC-V框架在智能汽車領域的運用進行探討
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GAAFET與FinFET工藝

三星在年初的IEEE國際固態電路大會(ISSCC)上，公布3nm制造技術的一些細節，包括類似全柵場效應晶體管(GAAFET)結構，率先開啟先進工藝在技術架構上的轉型。知名能源與電力媒體eenews報道稱，三星工廠已經流片采用環繞柵極 (GAA) 晶體管架構的3nm芯片，通過納米片(Nanosheet)制造出MBCFET(多橋通道場效應管)，可顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。為了能夠從臺積電手中*到客戶，三星半導體最近幾年一直在積極宣傳GAA(Gate All Aroun
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增強型MOS管結構與工作原理

一、增強型MOS管結構 1.增強型MOS管結構 ①以低摻雜的P型硅片為襯底。 ②利用擴散工藝制作成兩個高摻雜的N+區，并引出兩個電極，分別為源極s和漏極d。 ③在半導體上制作一層SiO2絕緣層，在SiO2上制作一層金屬鋁，引出電極，作為柵極g。 ④通常將柵極與襯底連接在一起，這樣襯底與柵極之間就形成電容，當柵極與源極之間電壓變化時，將改變襯底靠近絕緣層出的感應電荷的多少，從而控制漏極電流大小。 2.兩種增強型MOS管二、工
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常見的車用芯片AEC-Q驗證問題解答

在汽車電子向智能化，信息化和網絡化發展的今天，汽車芯片迎來了一個全新的發展契機，車用芯片AEC-Q驗證中經常會碰到什么問題？金鑒實驗室在下面的問題上給大家一個答案。
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車系統級芯片SoC：汽車系統級芯片概覽及AEC-Q100車規

SoC，系統級芯片，汽車系統級SoC主要面向兩個領域，一是駕駛艙，二是智能駕駛，兩者的界限現在越來越模糊。隨著汽車電子架構的演進，新出現了網關SoC，典型的代表是NXP的S32G274A。通常網關SoC不需要太強算力，不過S32G274A有4個Cortex-A53內核，達到低端座艙的水準。英偉達Orin的內部框架圖 Orin是一個典型的智能駕駛SoC
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