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良率90%，成本僅為硅器件的1.5倍！碳化硅將革IGBT的命？

最近，某碳化硅企業(yè)在線上活動(dòng)透露，6寸碳化硅晶圓的價(jià)格為2-3萬(wàn)元/片，可以做成350-700顆車規(guī)級(jí)SiC Mosfet。目前碳化硅器件價(jià)格大約是硅器件的4-5倍。有機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2025年碳化硅器件的價(jià)格有望低至硅器件的1.5倍左右，但如何才能做到？ “三代半風(fēng)向”發(fā)現(xiàn)，不久前，北卡羅來納州立大學(xué)（NCSU）公布了一項(xiàng)碳化硅技術(shù)的最新進(jìn)展，目標(biāo)恰巧是要將碳化硅的價(jià)格降低至僅為硅晶圓的1.5倍。據(jù)介紹，這項(xiàng)技術(shù)可以幫助企業(yè)降低進(jìn)入碳化硅領(lǐng)域的門檻，最終實(shí)現(xiàn)代工廠共享、工藝共享，從而無(wú)需耗費(fèi)時(shí)間和財(cái)
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中國(guó)曾經(jīng)的光刻機(jī)研發(fā)與徐端頤

如今，芯片已進(jìn)入了人類現(xiàn)代社會(huì)的方方面面，大到飛機(jī)艦船、衛(wèi)星火箭，小到人們手中的手機(jī)、“隨身聽”，都離不開芯片。隨著以美國(guó)為首的*對(duì)華為公司的打壓，“光刻機(jī)”成了網(wǎng)絡(luò)熱搜詞，談?wù)摴饪虣C(jī)的文章鋪天蓋地。真實(shí)的情況是：中國(guó)不僅曾經(jīng)研制出國(guó)際*水平的光刻機(jī)，而且是在外界封鎖禁運(yùn)的情況下獨(dú)立研發(fā)制造，擁有完整知識(shí)產(chǎn)權(quán)。人們更不會(huì)知道，中國(guó)光刻機(jī)的研發(fā)制造，與一位貴州籍的科學(xué)家徐端頤密切相關(guān)。 1955年，從貴陽(yáng)一中高中畢業(yè)的徐端頤以優(yōu)異成績(jī)考入清華大學(xué)，1961年從清華精密儀器系畢業(yè)后留校任教。
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mos管在各個(gè)行業(yè)中的占何種地位

mos管說白了就是半導(dǎo)體金屬管，它的使用范圍十分廣泛。且其作為行業(yè)中的“領(lǐng)頭大佬”，mos管的地位根深蒂固，無(wú)法撼動(dòng)。但是相對(duì)于其他來講，單獨(dú)的硅晶體管比較脆弱，所以制作時(shí)會(huì)使用一層氧化膜來對(duì)其進(jìn)行保護(hù)。這層簡(jiǎn)易的薄膜會(huì)讓它的外表更加的光滑，同時(shí)也會(huì)產(chǎn)生一些缺點(diǎn)——表面太過于光滑，缺少了一些凹凸感，導(dǎo)致其傳導(dǎo)性大大的降低，所以會(huì)在氧化層上適當(dāng)?shù)拈_一些孔洞。重復(fù)的進(jìn)行加保護(hù)膜，開洞，會(huì)使警惕管更加的穩(wěn)當(dāng)，能夠在不影響使用感的情況下，保證了它的傳導(dǎo)性。而隨著社會(huì)的高速發(fā)展，它也緊跟時(shí)代的潮流。在之前傳
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90%靠進(jìn)口，汽車芯片國(guó)產(chǎn)化難在哪里？

智能電動(dòng)汽車龍頭企業(yè)蔚來汽車近日宣布：因芯片短缺，公司決定從3月29日起將合肥江淮汽車工廠的生產(chǎn)暫停５天。原本70多元的汽車芯片有的已漲到2000多元，但即使愿意出高價(jià)、排長(zhǎng)隊(duì)，也不一定能買到。讓國(guó)內(nèi)汽車產(chǎn)業(yè)因“芯荒”而“心慌”的，不光是眼下全球供應(yīng)鏈下的汽車芯片荒愈演愈烈，還有我國(guó)汽車芯片進(jìn)口比例畸高而潛在的安全隱憂。在進(jìn)口芯片短缺導(dǎo)致車企產(chǎn)能受限的情況下，從車企到模塊供應(yīng)商，再到半導(dǎo)體廠商都坦言，短期內(nèi)仍難以用國(guó)產(chǎn)汽車芯片進(jìn)行替代，我國(guó)汽車產(chǎn)業(yè)鏈的國(guó)內(nèi)大循環(huán)如何構(gòu)建亟待求解
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Cree的2024年

2024年是SiC行業(yè)的分水嶺，也是Cree的分水嶺。 2024年，Cree的8寸廠規(guī)劃達(dá)產(chǎn)； 2024年，Cree的器件產(chǎn)品業(yè)務(wù)將超過材料業(yè)務(wù)占比； 2024年，Cree給出了營(yíng)收15億美元，EBIT3.75億元的營(yíng)業(yè)目標(biāo)； 2024年，越來越多研究機(jī)構(gòu)和廠商認(rèn)可的碳化硅行業(yè)的爆發(fā)寄點(diǎn)； 2024年，大陸資本的發(fā)力預(yù)計(jì)會(huì)對(duì)6寸材料和SBD的格局帶來一定沖擊。在2024年這個(gè)時(shí)點(diǎn)，本文嘗試回答幾個(gè)問題： 1.SiC功率行業(yè)格局相比現(xiàn)在是否
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“先進(jìn)封裝”一文打盡

一項(xiàng)技術(shù)能從相對(duì)狹窄的專業(yè)領(lǐng)域變得廣為人知，有歷史的原因，也離不開*公司的推波助瀾，把SiP帶給大眾的是蘋果（Apple），而先進(jìn)封裝能引起公眾廣泛關(guān)注則是因?yàn)榕_(tái)積電（TSMC）。蘋果說，我的i Watch采用了SiP技術(shù)，SiP從此廣為人知；臺(tái)積電說，除了先進(jìn)工藝，我還要搞先進(jìn)封裝，先進(jìn)封裝因此被業(yè)界提到了和先進(jìn)工藝同等重要的地位。近些年，先進(jìn)封裝技術(shù)不斷涌現(xiàn)，新名詞也層出不窮，讓人有些眼花繚亂，目前可以列出的先進(jìn)封裝相關(guān)的名稱至少有幾十種。例如：WLP(Wafer Level Packa
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漲知識(shí)了!PCB采購(gòu)?fù)袋c(diǎn)多，選擇PCB供應(yīng)商大有學(xué)問!

獵板網(wǎng)4天前在外人眼中，采購(gòu)屬于甲方，是選擇供應(yīng)商的強(qiáng)勢(shì)方。如果PCB供應(yīng)商價(jià)格高，服務(wù)差，可以隨時(shí)更換。但其實(shí)采購(gòu)工作并沒有那么輕松，篩選出一個(gè)穩(wěn)定優(yōu)質(zhì)的PCB供應(yīng)商，常面臨價(jià)格、交期、品質(zhì)等痛點(diǎn)。那究竟如何解決這些采購(gòu)中的痛點(diǎn)，有沒有什么方法可以輕松搞定PCB采購(gòu)？答案是肯定的，大廠成熟的采購(gòu)都遵循著標(biāo)準(zhǔn)的流程，讓采購(gòu)工作標(biāo)準(zhǔn)化，工作上也容易被認(rèn)可。這是獵板與眾多大廠采購(gòu)商溝通后總結(jié)的一套采購(gòu)流程方法，分享給大家，希望對(duì)大家有幫助。直接進(jìn)入主題，一個(gè)完整的供應(yīng)商選擇過
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芯片巨頭開始提速，聯(lián)手日本沖刺2nm芯片，技術(shù)比三星3nm更先進(jìn)

長(zhǎng)久以來，臺(tái)積電在芯片代工領(lǐng)域一直都是扮演著霸主角色。無(wú)論代工技術(shù)，還是代工規(guī)模，均是*對(duì)手。不過最近一段時(shí)間，網(wǎng)上關(guān)于“芯片代工市場(chǎng)變天”、“三星取代臺(tái)積電”的消息層出不窮。原因在于三星在不久前舉辦的IEEE ISSCC國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)上，展示了全球*3nm芯片。而且，三星展示的這款
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本周電力電子動(dòng)態(tài)匯總

啟動(dòng)智能應(yīng)用能力中心近日，英飛凌大中華區(qū)智能應(yīng)用能力中心在深圳正式啟動(dòng)。該中心將聚焦工業(yè)級(jí)智能設(shè)備、智能家居、智能汽車和物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域，基于多個(gè)開發(fā)測(cè)試平臺(tái)，充分挖掘如何利用各類功率器件提升工業(yè)設(shè)備的運(yùn)行效率、降低空調(diào)等家電的能耗、提高新能源汽車的續(xù)航能力；探索如何利用傳感器讓家電變得更智能、讓汽車行駛更安全，以及如何實(shí)現(xiàn)更高水平的自動(dòng)駕駛；同時(shí)積極開發(fā)基于硬件的安全應(yīng)用解決方案，為物聯(lián)網(wǎng)安全保駕護(hù)航等。全碳化硅永磁直驅(qū)列車日前，蘇州市軌道交通 3 號(hào)線工程車輛全碳
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MEMS傳感器產(chǎn)業(yè)全景解析

MEMS（MicroelectronMechanicalSystems）系統(tǒng)即微機(jī)電系統(tǒng)，是指可批量制作的，集微型傳感器、執(zhí)行器、機(jī)械結(jié)構(gòu)、電源能源、信號(hào)處理、控制電路、高性能電子集成器件、接口、通信等于一體的微米或納米級(jí)器件或系統(tǒng)。 MEMS傳感器是在微電子技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的多學(xué)科交叉的前沿研究領(lǐng)域，其采用微電子和微機(jī)械加工技術(shù)制造出來的新型傳感器。與傳統(tǒng)的傳感器相比，它具有體積小、重量輕、成本低、功耗低、可靠性高、適于批量化生產(chǎn)、易于集成和實(shí)現(xiàn)智能化的特點(diǎn)。同時(shí)，在微米
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