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帶你認識二極管

二極管又稱晶體二極管，簡稱二極管。電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。它的作用是什么？二極管是最常用的電子元件之一，他最大的特性就是單向導電，也就是電流只可以從二極管的一個方向流過，二極管的作用有整流電路，檢波電路，穩壓電路，各種調制電路，主要都是由二極管來構成的，其原理都很簡單，正是由于二極管等元件的發明，才有我們現在豐富多彩的電子信息*的誕生。它有哪些分類：一、根據構造分類半導體二極管主要是依靠
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碳化硅寫入十四五規劃，快充市場成為第三代半導體突破口

2020年，當大多數快充電源廠商還在65W氮化鎵快充市場探索時，倍思開創性的推出了業界*120W氮化鎵+碳化硅快充充電器。也正是這款產品，*次將“碳化硅快充”從設想變為現實，開啟了碳化硅在快充領域商用的大門。隨后，MOMAX、REMAX等廠商陸續跟進，基于碳化硅推出多款百瓦級大功率快充電源，也讓越來越多的業內人士和消費者對碳化硅有了更進一步的了解。一、官宣：碳化硅寫入十四五規劃 2021年3月13日，新華網刊登了《中
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零基礎學習場效應管

近年來,在電子電路中場效應管的應用越來越廣泛。它具有輸入阻抗高,動態范圍大,功耗較小等特點。今天我們就來學習一下什么是場效應管？場效應管可分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管,均又分為N溝道和P溝道型。那么怎么具體識別場效應管呢？一、場效應管的識別技巧 1.場效應管的外形和圖形符號常見的場效應管同樣有3只引腳,分別為柵極G、漏極D、源極S。 2.場效應管的主要參數場效應管的參數包括直流參數、交流參數和極限參數,主要參數有漏極源極間飽和電流，夾斷電壓或開啟電壓，跨導
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清華芯片創企：群芯璀璨，遍布芯片各領域

芯片產業鏈可以分為上游的芯片設計商、中游的制造商、封測商以及下游的方案商以及終端應用廠商等，其中芯片設計和制造是核心環節。近年來，在政策支持、提高自主可控的迫切需求以及技術創新等要素的驅動下，中國芯片行業保持強勁發展階段。Sixlens數據顯示，2016-2020年，半導體芯片行業的專利項目投資事件數量總數693起，五年復合增速達到32.2%；專利項目投資事件金額355.1億元，五年復合增速達到98.9%。其中，2020年，半導體芯片行業專利項目投資事件241起，位居所有行業的首位。另一方面，在資金、政策
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電源管理的基礎知識

在本章中，您將學習電源管理的基礎知識，包括不同應用所需的電路設計類型。您還會了解到什么是電源管理集成電路（PMIC），以及當今的多功能 PMIC 為何能夠替代各種類型的穩壓器。掌握電源基礎知識某個設備或電子系統所需要的 DC 電源管理子系統的類型取決于該設備或系統的電源?？赡艿碾娫窗?nbsp;AC、電池、DC 以及超低功耗 DC（能量采集）。絕大多數由電池供電的電子產品使用鋰離子（Li-ion）或鋰聚合物（LiPo）電池。一個電池組可能包含幾塊電池，通過串聯或者并聯方式
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什么是mos管？有什么作用？

所謂mos管其實就是場效應管中的一種類型，，屬于場效應晶體管中的絕緣柵型。因此，mos管有時被稱為場效應管。在一般電子電路中，mos管通常被用于放大電路或開關電路。它的學名叫金屬-氧化物-半導體場效應管，它是由金屬、氧化物和半導體三者疊加在一起而形成的結構。mos管的工作原理是你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導通,它的導通就像三極管在飽和狀態一樣,導通結的壓降最小.這就是常說的精典是開關作用.去掉這個控制電壓經就截止。那么mos管它的主要作用是什么呢？一、作電平轉換用電路設計
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2.5億！2021國內*起碳化硅收購案，華為、比亞迪曾入股

3月10日，天富能源發布公告稱，擬收購碳化硅晶片企業——北京天科合達半導體股份有限公司1000萬股份，收購價格為25元/股，交易總額為2.5億元。據“三代半風向”了解，這是天富能源第3次收購天科合達股份，累計認購金額近6億元。此外，華為、比亞迪和華潤微電子等企業也曾入股天科合達。2016年到2021年，天科合達的估值從1.1億元增至54億元，約增長53倍。此外，天富能源認為，國內碳化硅襯底的年需求超過110萬片，目前處于供不應求狀態。天富能源三次入股天科合達華為、比亞迪、華潤微曾
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談汽車芯片之一——芯片是所有行業的短板

汽車芯片是行業內近期來的熱門話題，全國人大代表上汽集團董事長陳虹先生在兩會上提出了有關汽車芯片的提案，在行業內引起重大反響。汽車行業有重大影響的兩個媒體，《汽車縱橫》雜志和《中國汽車報》對筆者進行了采訪。現將筆者的思路整理成幾個博客，與業內專家商討。筆者的*個核心觀點是，芯片是所有行業的短板，目前我國汽車芯片設計、生產能力弱，是歷史形成的，不需要歸咎于汽車行業或芯片行業。當然這種情況需要改變，而且具備改變條件。 *，芯片是技術壁壘最高、全球集中度最高的產業。全*的芯片都
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CMOS和FinFET工藝中關于28Gbps到112Gbps SerDes接口的本地I/O ESD保護

摘要：為滿足對更高數據吞吐量的需求，半導體公司正在開發更快的無線、有線和光學接口。其主要是基于BiCMOS，*CMOS工藝和FinFET節點在ESD敏感電路的實現。然而，傳統ESD解決方案的寄生電容限制了信號頻率。本文介紹了用于高速SerDes（28Gbps至112Gbps）電路的臺積電（TSMC）
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不可錯過的超全半導體材料工藝設備匯總

1、單晶爐設備名稱：單晶爐設備功能：熔融半導體材料，拉單晶，為后續半導體器件制造，提供單晶體的半導體晶坯。主要企業（品牌）：國際：德國PVA TePla AG公司、日本Fer
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