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BJT DMOS BiCMOS BCD半導(dǎo)體制程技術(shù)簡介

隨著半導(dǎo)體制程制程不斷突破，業(yè)界流傳著一個被稱為「摩爾定律」的*論點。它是英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾在1965年提出的，其核心內(nèi)容為：集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每經(jīng)過18個月到24個月便會增加一倍。這項定律不僅是對產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢的一種分析預(yù)測，同時也成了半導(dǎo)體制程發(fā)展的動力——一切都是為了做出更小尺寸且性能穩(wěn)定的電晶體。從五十年代至今約70年的時間，總共發(fā)展了BJT、MOSFET 、CMOS、DMOS以及混合型的BiCMOS和BCD
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上揚軟件啟動12英寸晶圓全自動產(chǎn)線，薩科微SMF20A為芯片制造保駕護(hù)航

近日，半導(dǎo)體行業(yè)傳來重大利好消息——上揚軟件正式啟動12英寸特色工藝晶圓全自動生產(chǎn)線CIM系統(tǒng)。這一突破標(biāo)志著我國在半導(dǎo)體制造關(guān)鍵系統(tǒng)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，為國產(chǎn)芯片自主可控再添重要砝碼。CIM（Computer Integrated Manufacturing）系統(tǒng)是半導(dǎo)體制造工廠的"大腦"和"中樞神經(jīng)系統(tǒng)"，負(fù)責(zé)協(xié)調(diào)控制從原材料到成品的整個制造流程。上揚軟件此次成功實施的12英寸特色工藝晶圓全自動生產(chǎn)線CIM系統(tǒng)，涵蓋了MES（制造執(zhí)行系統(tǒng)）、EAP（設(shè)備自動化程序）、SPC（統(tǒng)計過程控制）等關(guān)鍵子系統(tǒng)，實現(xiàn)了從生產(chǎn)調(diào)度、設(shè)備控制到質(zhì)量管理的全流程自動化。
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西安交大突破氮化硼芯片技術(shù)，薩科微SMF10A瞬態(tài)抑制二極管為光電設(shè)備保駕護(hù)航

近日，西安交通大學(xué)電信學(xué)部李強副教授團(tuán)隊在光電芯片領(lǐng)域取得重大突破，成功研制出基于氮化硼材料的深紫外光電芯片。這一科研成果發(fā)表在《自然·通訊》雜志上，迅速引發(fā)科技界和產(chǎn)業(yè)界的高度關(guān)注。
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國產(chǎn)TVS二極管技術(shù)新突破：薩科微SMF7.5A亮相SEMICON China 2025

3月26-28日，全球半導(dǎo)體行業(yè)矚目的"跨界全球·心芯相聯(lián)"SEMICON/FPD China 2025在上海新國際博覽中心盛大舉辦。作為亞洲規(guī)模最大的半導(dǎo)體行業(yè)盛會，本屆展會吸引了來自全球的1200多家企業(yè)參展，集中展示了半導(dǎo)體制造、設(shè)計、材料、設(shè)備等領(lǐng)域的最新技術(shù)成果。在這場行業(yè)盛宴中，國內(nèi)知名半導(dǎo)體企業(yè)薩科微(Slkor)攜其最新研發(fā)的SMF7.5A瞬態(tài)抑制二極管(TVS)驚艷亮相，向全球展示了中國在電路保護(hù)器件領(lǐng)域的技術(shù)實力。
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國產(chǎn)芯片助力AI降本增效：薩科微SMF33A TVS二極管的創(chuàng)新應(yīng)用

近日，螞蟻集團(tuán)宣布成功利用中國自主研發(fā)的芯片技術(shù)，將其AI模型訓(xùn)練成本降低20%。這一突破性進(jìn)展不僅展示了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速進(jìn)步，也為整個電子產(chǎn)業(yè)鏈帶來了新的發(fā)展機遇。在這一背景下，薩科微(Slkor)等國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)正通過創(chuàng)新產(chǎn)品為電子設(shè)備提供關(guān)鍵保護(hù)——其明星產(chǎn)品SMF33A瞬態(tài)抑制二極管(TVS)正是國產(chǎn)芯片技術(shù)進(jìn)步的典型代表。
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當(dāng)DUV光源照亮國產(chǎn)芯片，誰在守護(hù)光與電的邊界？

中科院全固態(tài)深紫外（DUV）光源技術(shù)的突破，讓國產(chǎn)光刻機核心部件的自主化進(jìn)程向前邁進(jìn)一大步。然而，在光刻機內(nèi)部精密的光電轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，一個常被忽視的真相是：每束DUV光子的*投射，都離不開納米級瞬態(tài)電壓的嚴(yán)密守護(hù)。薩科微半導(dǎo)體推出的P6SMB20CA瞬態(tài)抑制二極管，正以“光電邊界守衛(wèi)者”的姿態(tài)，成為國產(chǎn)半導(dǎo)體裝備突破的關(guān)鍵拼圖。
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AI芯片突破背后，半導(dǎo)體防護(hù)元件如何護(hù)航算力革命？

近日，珠海皓澤科技自研的超效能存算一體AI芯片VVT300成功流片的消息，在半導(dǎo)體圈掀起熱議。這款芯片以突破性的能效比和算力集成度，成為國產(chǎn)AI芯片崛起的標(biāo)志性事件。然而，在算力狂飆的表象之下，一個常被忽視的真相是：每一次芯片性能的躍升，都離不開防護(hù)元件的靜默守護(hù)。薩科微半導(dǎo)體推出的SLESD5Z36瞬態(tài)抑制二極管，正以“隱形*”的姿態(tài)，為AI時代的硬件安全筑起銅墻鐵壁。
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SLPESD24VS1U瞬態(tài)抑制二極管：高壓場景下的精密防護(hù)方案

在工業(yè)自動化、汽車電子及通信電源等高壓應(yīng)用場景中，瞬態(tài)電壓事件對電路可靠性的威脅尤為顯著。SLPESD24VS1U作為一款專為24V系統(tǒng)設(shè)計的高壓瞬態(tài)抑制（TVS）二極管，通過參數(shù)優(yōu)化實現(xiàn)了對浪涌脈沖、ESD及感性負(fù)載切換的*防護(hù)。其24V反向工作電壓、50pF結(jié)電容及SOD-523封裝特性，使其成為高壓、緊湊型電子設(shè)備的優(yōu)選保護(hù)器件。
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SLESD5302F-3TR瞬態(tài)抑制二極管：低功耗、高頻電路保護(hù)的精密設(shè)計

在電子設(shè)備向低功耗、高頻化方向發(fā)展的背景下，瞬態(tài)電壓抑制（TVS）二極管作為關(guān)鍵防護(hù)元件，需同時滿足低電容、高靈敏度與小型化需求。SLESD5302F-3TR作為一款專為低壓高速場景設(shè)計的TVS二極管，通過參數(shù)優(yōu)化實現(xiàn)了對靜電放電（ESD）、電感負(fù)載瞬變及浪涌脈沖的*抑制，成為現(xiàn)代電子設(shè)計的優(yōu)選方案。
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瞬態(tài)抑制二極管護(hù)航氮化鎵革命：SLESDL0603-12如何成為100nm硅基氮化鎵工藝的"隱形保險絲"

九峰山實驗室發(fā)布的100nm硅基氮化鎵商用工藝設(shè)計套件，標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體技術(shù)正式邁入亞百納米時代。這項突破使氮化鎵功率器件的導(dǎo)通電阻降低40%，開關(guān)頻率突破1GHz大關(guān)，為5G基站、車載激光雷達(dá)和消費電子快充領(lǐng)域打開了效率革命的大門。然而，實驗室數(shù)據(jù)揭示了一個關(guān)鍵矛盾：當(dāng)?shù)壘w管柵極長度縮短至100nm量級時，其柵氧層厚度僅余1.5nm，這意味著傳統(tǒng)CMOS器件10倍的靜電敏感度，而開關(guān)瞬態(tài)電壓超過20V即可造成*性損傷
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