成人日韩视频,91欧美精品,9 1免费版看片

第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底分類、技術(shù)指標(biāo)、生長(zhǎng)工藝、產(chǎn)業(yè)鏈、下游應(yīng)用等解析

1、第三代半導(dǎo)體特性 (1)碳化硅根據(jù)《中國(guó)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)：新材料(第三代半導(dǎo)體材料)》，與硅相比，碳化硅擁有更為優(yōu)越的電氣特性: ①耐高壓：擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導(dǎo)通損耗。 ②耐高溫：半導(dǎo)體器件在較高的溫度下，會(huì)產(chǎn)生載流子的本征激發(fā)現(xiàn)象，造成器件失效。禁帶寬度越大，器件的極限工作溫度越高。碳化硅的禁帶接近硅的3倍，可以保證碳化硅器件在高溫條件下工作的可靠性。硅器件的極限工作溫度般不能超過(guò) 300
了解更多
瀾起科技：存儲(chǔ)接口芯片、發(fā)展歷程

瀾起科技：成立于2004年，2019年上市，擁有互連類芯片和津逮?服務(wù)器平臺(tái)兩大產(chǎn)品線。瀾起科技是國(guó)際*的數(shù)據(jù)處理及互連芯片設(shè)計(jì)公司。行業(yè)地位：瀾起科技的內(nèi)存接口芯片作為連接CPU和內(nèi)存的“高速公路”,是服務(wù)器內(nèi)存模組的必配芯片，已成功進(jìn)入國(guó)際主流內(nèi)存、服務(wù)器和云計(jì)算領(lǐng)域,產(chǎn)品性能和質(zhì)量受到市場(chǎng)及行業(yè)的高度認(rèn)可，并占據(jù)全球市場(chǎng)的重要份額。瀾起科技是全球微電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC(固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì))董事會(huì)成員,深度參與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定，是DDR5內(nèi)存接口芯片(RCD、MDB)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)
了解更多
CMOS圖像傳感器（CIS）分類及特點(diǎn)

CMOS圖像傳感器根據(jù)感光元件安裝位置，主要可分為前照式結(jié)構(gòu)(FSI)背照式結(jié)構(gòu)(BSI)。在背照式結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，還可以進(jìn)一步改良成堆棧式結(jié)構(gòu)(Stacked)。堆棧式結(jié)構(gòu)系在背照式結(jié)構(gòu)將感光層僅保留感光元件的部分邏輯電路的基礎(chǔ)上進(jìn)行進(jìn)一步改良，在上層僅保留感光元件而將所有線路層移至感光元件的下層，再將兩層芯片疊在一起，芯片的整體面積被極大地縮減。此外，感光元件周圍的邏輯電路也相應(yīng)移至底層，可有效抑制電路噪聲從而獲取更優(yōu)質(zhì)的感光效果。采用堆棧式結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器可在同
了解更多
功率半導(dǎo)體中超結(jié)MOS管基礎(chǔ)知識(shí)

1. 背景知識(shí) 在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前，我們先了解一些背景知識(shí)。 MOSFET，全稱金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor），是一種非常重要的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。它的基本作用是作為一個(gè)開關(guān)，控制電流的流動(dòng)。MOSFET有不同的類型，包括平面、溝槽等。今天要重點(diǎn)討論超結(jié)MOSFET（super junction mosfet）。 2. 平面MOSFET的局限性傳統(tǒng)的
了解更多
固態(tài)硬盤（SSD）主控芯片簡(jiǎn)析

固態(tài)硬盤組成主要包括主控芯片、NAND 閃存顆粒。其中主控芯片是固態(tài)硬盤的核心器件，負(fù)責(zé)與整機(jī)CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)通信以及NAND 閃存顆粒數(shù)據(jù)管理，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、服務(wù)器、工業(yè)控制等領(lǐng)域。固態(tài)硬盤主控芯片與其配套固件（FW）一起，實(shí)現(xiàn)對(duì)固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)管理、NAND壞塊管理、NAND數(shù)據(jù)糾錯(cuò)、NAND壽命均衡、垃圾回收等功能，直接關(guān)系到固態(tài)硬盤的性能、可靠性、穩(wěn)定性和安全性。圖：來(lái)源聯(lián)蕓科技 SSD主控芯片的關(guān)鍵核心指標(biāo)是性能參數(shù)，包括順序讀寫速率（SR/SW）以及隨機(jī)讀
了解更多
紅外線及紅外成像儀原理介紹

1、紅外線及紅外成像的概念光在本質(zhì)上屬于電磁波，根據(jù)波長(zhǎng)不同可以分為無(wú)線電波、微波、紅外線、可見光、紫外線、X 射線、γ 射線等類型。受人眼自然構(gòu)造形成的視覺性能限制，人類只能對(duì)波長(zhǎng)在 0.76-0.38 微米波譜段的輻射進(jìn)行感知，無(wú)法通過(guò)直接觀察的方式獲取紅外線成像信息。光電成像技術(shù)是通過(guò)光學(xué)系統(tǒng)和光電圖像傳感器，將自然界的模擬圖像信息轉(zhuǎn)化為可進(jìn)行機(jī)器處理的數(shù)字圖像信息，并對(duì)圖像進(jìn)行處理和分析的技術(shù)。以光電轉(zhuǎn)換技術(shù)、光電子理論和半導(dǎo)體物理等為基礎(chǔ)，采用光電成像器件完成成像過(guò)程的改
了解更多
晶圓制造為什么需要退火工藝？

退火工藝是晶圓制造中的關(guān)鍵步驟，通過(guò)控制加熱和冷卻過(guò)程，退火能夠緩解應(yīng)力、修復(fù)晶格缺陷、激活摻雜原子，并改善材料的電學(xué)和機(jī)械性質(zhì)。這些改進(jìn)對(duì)于確保晶圓在后續(xù)加工和最終應(yīng)用中的性能和可靠性至關(guān)重要。退火工藝在晶圓制造過(guò)程中扮演著至關(guān)重要的角色。 1. 退火工藝的定義退火（annealing）是一種熱處理工藝，通過(guò)加熱晶圓并保持在一定溫度下，然后再緩慢冷卻，以改變材料的物理和化學(xué)性質(zhì)。這個(gè)過(guò)程通常在一個(gè)專門的爐子中進(jìn)行。 2. 退火工藝的目的在晶圓制造中，退火有幾個(gè)主要目的
了解更多
硅晶棒切割成晶圓的技術(shù)難點(diǎn)

硅晶棒切割技術(shù)涉及多個(gè)方面的技術(shù)難點(diǎn)，需要綜合考慮機(jī)械、材料、熱力學(xué)、流體力學(xué)等多學(xué)科的知識(shí)，才能實(shí)現(xiàn)高效、高質(zhì)量的硅片切割。硅晶棒切割是半導(dǎo)體制造過(guò)程中至關(guān)重要的一步，其技術(shù)難點(diǎn)主要集中在以下幾個(gè)方面： 1. 切割精度切割硅晶棒需要高度精確，以確保每片硅片的厚度一致。切割過(guò)程中的誤差會(huì)影響到后續(xù)的晶圓加工質(zhì)量。主要難點(diǎn)包括：刀片的精度：金剛石切割刀片需要具備高精度和高剛性，以避免切割過(guò)程中產(chǎn)生偏差。切割設(shè)備的穩(wěn)定性：切割設(shè)備必須具備高穩(wěn)定性和高精度的
了解更多
光刻機(jī)分類

光刻機(jī)按光源類型可分為五類：I-line光刻機(jī)、KrF光刻機(jī)、ArF光刻機(jī)、ArFi光刻機(jī)（即ArF浸沒(méi)式光刻機(jī)，與ArF光刻機(jī)相比在曝光過(guò)程中在投影物鏡和晶圓之間放置了一層水膜）、EUV光刻機(jī)。按照應(yīng)用領(lǐng)域可分為IC前道光刻機(jī)和IC后道光刻機(jī)。其中，IC前道光刻機(jī)主要應(yīng)用于芯片制造，而后道光刻機(jī)主要用于芯片封裝。隨著IC制程不斷向前推進(jìn)，IC元件將更加復(fù)雜，光刻工藝平均所需的曝光層數(shù)不斷增多，這將驅(qū)動(dòng)光刻機(jī)需求的增長(zhǎng)。未來(lái)從7nm節(jié)點(diǎn)開始向下，EUV光刻機(jī)將逐漸被應(yīng)用在關(guān)鍵層曝光，銷售量
了解更多
為什么晶圓先進(jìn)制程需要FinFET？

FinFET技術(shù)在晶圓制造中引入了一種創(chuàng)新的三維晶體管結(jié)構(gòu)，通過(guò)增強(qiáng)柵極控制和降低漏電流，實(shí)現(xiàn)了更高效的晶體管性能。這對(duì)于實(shí)現(xiàn)更小、更快、更節(jié)能的半導(dǎo)體器件是至關(guān)重要的。隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，F(xiàn)inFET技術(shù)的應(yīng)用也變得越來(lái)越普遍和重要。 1. 背景：傳統(tǒng)平面晶體管的局限性在傳統(tǒng)的平面金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）中，隨著工藝節(jié)點(diǎn)的縮小（比如從90nm到65nm再到更小的節(jié)點(diǎn)），我們遇到了以下技術(shù)挑戰(zhàn)：短溝道效應(yīng)：隨著晶體管的柵極長(zhǎng)度縮短，柵極對(duì)溝道的控制能力減
了解更多

10 條/頁(yè): 10 條/頁(yè) 20 條/頁(yè) 50 條/頁(yè) 100 條/頁(yè) 200 條/頁(yè) 500 條/頁(yè) 1000 條/頁(yè)

客服QQ2635709730

客服QQ
2635709730